低原子価4B族元素を含む遷移金属錯体の合成と反応

含低价4B族元素过渡金属配合物的合成与反应

基本信息

批准号：
04217203
负责人：
荻野博
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.ドナーで架橋安定化されたビス(シリレン)錯体は,架橋原子が16族元素に限られていた。本研究により,新たに15族元素を架橋原子とするアミノおよびホスフィノ架橋ビス(シリレン)鉄錯体の合成に成功し,アミノ架橋錯体については結晶構造も明らかにした。2.ゲルマニウム上の塩素をルイス塩基存在下銀塩で引抜くことにより,鉄錯体としては初めてのカチオン性のゲルミレン錯体および前例の全く無なったジカチオン性のゲルミリン錯体の合成に成功した。3.シリレンを架橋配位子とする二核錯体については,新たに鉄と同族のルテニウムを含む,FeRuおよびRuRu中心を持つ錯体の合成を行った。また,ホスフィンなどの電子供与性配位子を含む誘導体を幾つか合成した。各種分光学的研究から,これらの錯体の2つの金属および架橋ケイ素部分はかなり電子豊富になっており,カチオン性シリリン架橋錯体の前駆体として適していることがわかった。4.最近合成に成功した,シリレン架橋錯体としては初めての常磁性錯体について固体の磁化率をSOUID法によって測定し,固体でも10K〜室温の温度範囲で三重項基底状態をとっていることを明らかにした。5.ゲルマニウムで架橋された二核錯体については,カチオン性ゲルミリン架橋錯体を初めて合成し,その結晶構造を明らかにした。また,t-ブチルゲルマンと(η^5-C_5Me_5)Fe(CO)_2SiMe_3との光反応で,ゲルミレンで二重に架橋された二鉄錯体が非常に高収率で得られることを見出した。t-ブチルシランを用いた同様の反応では,単核のシリル錯体しか得られないので,この生成物の大きな違いは興味深い。

1。供体稳定的双二烯型复合物对16组元素的桥接原子有限。这项研究成功地合成了新的氨基和磷酸桥的双（Silylene）铁配合物，其15组元素作为桥接原子，并且还阐明了氨基桥梁复合物的晶体结构。 2。通过在刘易斯基地的存在下用银盐提取氯，我们成功地合成了第一个阳离子胚基络合物，并完全前所未有的dicationic gercyline络合物。 3。对于使用甲硅烷基作为桥配体的双核络合物，与铁的家族相同，是一个与铁的家族，是新合成的。此外，合成了几种含有电子含电子配体的衍生物，例如磷酸。各种光谱研究表明，这些配合物的两种金属和交联的硅部分相当富含电子，并且适合作为阳离子锡林蛋白交联的复合物的前体。 4。通过SOUID方法测量了最近已成功合成的顺磁复合物的固态磁敏感性，这表明即使固态也处于三胞胎基态在10K到室温的温度范围内。 5。对于与锗交联的双核复合物，制成了阳离子生殖蛋白交联的复合物的第一个合成，并阐明了其晶体结构。还发现，用（η^5-C_5me_5）fe（CO）_2Sime_3的T-丁基甘酯的光反应产生了一个二摩变复合物，并以非常高的产量与生殖器链接。该产品的巨大差异很有趣，因为与T-丁基硅烷的类似反应只能产生单核辅助配合物。