低原子価4B族元素を含む遷移金属錯体の合成と反応

含低价4B族元素过渡金属配合物的合成与反应

基本信息

批准号：
04217203
负责人：
荻野博
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.ドナーで架橋安定化されたビス(シリレン)錯体は,架橋原子が16族元素に限られていた。本研究により,新たに15族元素を架橋原子とするアミノおよびホスフィノ架橋ビス(シリレン)鉄錯体の合成に成功し,アミノ架橋錯体については結晶構造も明らかにした。2.ゲルマニウム上の塩素をルイス塩基存在下銀塩で引抜くことにより,鉄錯体としては初めてのカチオン性のゲルミレン錯体および前例の全く無なったジカチオン性のゲルミリン錯体の合成に成功した。3.シリレンを架橋配位子とする二核錯体については,新たに鉄と同族のルテニウムを含む,FeRuおよびRuRu中心を持つ錯体の合成を行った。また,ホスフィンなどの電子供与性配位子を含む誘導体を幾つか合成した。各種分光学的研究から,これらの錯体の2つの金属および架橋ケイ素部分はかなり電子豊富になっており,カチオン性シリリン架橋錯体の前駆体として適していることがわかった。4.最近合成に成功した,シリレン架橋錯体としては初めての常磁性錯体について固体の磁化率をSOUID法によって測定し,固体でも10K〜室温の温度範囲で三重項基底状態をとっていることを明らかにした。5.ゲルマニウムで架橋された二核錯体については,カチオン性ゲルミリン架橋錯体を初めて合成し,その結晶構造を明らかにした。また,t-ブチルゲルマンと(η^5-C_5Me_5)Fe(CO)_2SiMe_3との光反応で,ゲルミレンで二重に架橋された二鉄錯体が非常に高収率で得られることを見出した。t-ブチルシランを用いた同様の反応では,単核のシリル錯体しか得られないので,この生成物の大きな違いは興味深い。

1. 在通过供体交联稳定的双（亚甲硅基）配合物中，交联原子仅限于第 16 族元素。通过这项研究，我们成功合成了一种以第15族元素为桥原子的新型氨基和膦基桥联的双(亚甲硅基)铁配合物，并阐明了该氨基桥配合物的晶体结构。 2.通过在路易斯碱存在下用银盐从锗上提取氯，我们成功合成了第一个铁配合物——阳离子甲锗烷基配合物，以及以前从未见过的双阳离子甲锗烷配合物。 3.关于以硅基为桥联配体的双核配合物，我们合成了含有钌的新配合物，钌是铁的同族化合物，并且具有FeRu和RuRu中心。我们还合成了一些含有给电子配体的衍生物，例如膦。各种光谱研究表明，这些配合物的两种金属和桥接硅部分显着富电子，使得它们适合作为阳离子甲硅烷基桥接配合物的前体。 4. 我们利用SOUID方法测量了最近合成的顺磁配合物（第一个亚硅基桥配合物）的固态磁化率，发现即使是固态，在10 K到室温的温度范围内也具有三重态基态我做到了。 5.针对锗交联双核配合物，我们首次合成了阳离子种系交联配合物，并阐明了其晶体结构。我们还发现叔丁基锗烷和(η^5-C_5Me_5)Fe(CO)_2SiMe_3的光反应产生了与亚甲锗烷基双交联的二铁络合物，产率非常高。产物中的这种巨大差异很有趣，因为使用叔丁基硅烷的类似反应仅产生单核甲硅烷基络合物。