Development of STM operational in a plasma and its application to a control of plasma materials surface processing on an atomic scale
等离子体中运行的 STM 的开发及其在原子尺度上等离子体材料表面处理控制中的应用
基本信息
- 批准号:09555215
- 负责人:
- 金额:$ 6.14万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:1997
- 资助国家:日本
- 起止时间:1997 至 1998
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In this project, we performed the first attempt at the development of a scanning tunneling microscope (STM) for use under a plasma environment. The apparatus consists of an STM system and a radio-frequency (rf) (430MHz) plasma generation system housed in a vacuum chamber with a rotary pump. A special amplifier with a resolution of 10 femtoamp. up to 1kV is employed for tunneling current measurements. To prevent noise current from the plasma, the Pt-Ir probe tip is coated with epoxy grease and insulated glass using the sol-gel method except around its apex of about 3 mum. Under the conventional glow-plasma condition, the noise current from the plasma was deduced to be less than 0.1 nA during plasma exposure for 1800 sec. Using this apparatus, the step structure on a nanometer scale and atomic image of highly oriented pyrolytic graphite (HOPG) were obtained under rf, low-pressure (0.3 Tbrr) air glow plasma. We also discussed the role of the STM tip for successful, realistic "in situ" observation.
在这个项目中,我们首次尝试开发扫描隧道显微镜(STM),以在等离子体环境下使用。该设备由STM系统和射频(RF)(430MHz)等离子体生成系统组成,该系统容纳在带有旋转泵的真空室中。一个特殊的放大器,分辨率为10 femtoamp。多达1KV用于隧道电流测量。为了防止血浆中的噪声电流,使用SOL-GEL方法将PT-IR探针尖端涂在环氧油脂和绝缘玻璃中,除非其顶点约3妈妈。在常规的发光 - 血浆条件下,在1800秒的血浆暴露期间,血浆中的噪声电流低于0.1 Na。使用此设备,在RF下,在低压(0.3 tbrr)空光等离子体的RF下获得了高度定向热解石墨(HOPG)的纳米尺度和原子图像的阶跃结构。我们还讨论了STM尖端在成功,现实的“原位”观察中的作用。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y.Takamura, K.Hayasaki, K.Terashima, T.Yoshida: "Claster size measurement using microtrench method in a thermal plasma flash evaporation process." J.Vac.Sci.Technol.B. Vol15,N3. 558-565 (1997)
Y.Takamura、K.Hayasaki、K.Terashima、T.Yoshida:“在热等离子体闪蒸工艺中使用微沟槽方法测量碎石尺寸。”
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Terashima: "HIGH RATE DEPOSITION OF THICK EPITAXIAL FILMS BY THERMAL PLASMA FLASH DEPOSITION" Pure and Applied Chemistry. 70/6. 1193-1197 (1998)
K.Terashima:“通过热等离子体闪光沉积实现厚外延薄膜的高速率沉积”纯粹与应用化学。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
服部 伴之: "ホットクラスターエピタキシーによる高温超伝導体YBCO厚膜作製" 日本金属学会誌. 63/1. 68-73 (1999)
Tomoyuki Hattori:“通过热团簇外延制备高温超导体 YBCO 厚膜”,日本金属学会杂志 63/1(1999)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Terashima: "Scanning tunneling microscopy operating under a plasma environment" Thin Solid Films. (印刷中). (1999)
K.Terashima:“在等离子体环境下运行的扫描隧道显微镜”薄固体薄膜(1999 年出版)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
N.Yamaguchi: "Scanning tanneling microscopy of YB_<a2> Cu_3O_<τ-x> clustor deposited by plasma flash eraporation method" J.Mater.Sci.Lett.17. 2067-2069 (1998)
N.Yamaguchi:“通过等离子体闪光蒸发法沉积的 YB_<a2> Cu_3O_<τ-x> 簇的扫描鞣制显微镜”J.Mater.Sci.Lett.17 2067-2069 (1998)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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