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A STUDY OF LIGHT-EMITTING DEVICES WITH AN ULTRATHIN SILICON/SILICON DIOXIDE TWO-DIMENSIONAL QUANTUM STRUCTURE
超薄硅/二氧化硅二维量子结构发光器件的研究
基本信息
- 批准号：23656217
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
An electroluminescence peak at energies higher than the band gap of bulk silicon has been observed in metal-oxide-semiconductor tunnel devices with an ultrathin silicon layer. This indicates that the peak is due to subband -mediated transitions and due to trap-mediated transitions. It has been found that the external quantum efficiency increases with the decrease of the silicon layer thickness. This suggests that ultrathin silicon layers have quasi-direct band gap.
在具有超薄硅层的金属 - 氧化 - 氧化隧道隧道装置中，已经观察到高于散装硅带隙高的能量的电致发光峰。这表明峰是由于亚带介导的过渡和陷阱介导的过渡引起的。已经发现，外部量子效率随硅层厚度的减小而增加。这表明超薄硅层具有准直接带隙。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electroluminescence in Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Diodes with Nanometer-Thick Silicon
纳米厚硅金属氧化物半导体隧道二极管的电致发光
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Mizuho Morita;Ayano Tsuchida;Kei Matsumura;Ryuta Yamada;Yasushi Oshikane;Kentaro Kawai;Junichi Uchikoshi;and Kenta Arima
- 通讯作者：and Kenta Arima
Electroluminescence in Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Diodes with an Ultrathin Silicon Layer
具有超薄硅层的金属氧化物半导体隧道二极管中的电致发光
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Tsuchida;K. Matsumura;R. Yamada;Y. Oshikane;K. Kawai;J. Uchikoshi;K. Arima and M. Morita
- 通讯作者：K. Arima and M. Morita
Electroluminescence in Ultrathin Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Diodes
超薄绝缘体上硅金属氧化物半导体隧道二极管的电致发光
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Tsuchida;K. Matsumura;R. Yamada;Y. Oshikane;K. Kawai;J. Uchikoshi;K. Arima and M. Morita
- 通讯作者：K. Arima and M. Morita
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