Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application
氧化硅嵌入Ge二维晶体的形成及其器件应用
基本信息
- 批准号：20K21142
- 负责人：
- 金额：$ 4.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-07-30 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
期刊论文数量（8）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ag/Ge 構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge 結晶形成
通过表面偏析控制和 Ag/Ge 结构平坦化形成超薄 Ge 晶体
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：大田 晃生;山田 憲蔵;須川 響;田岡 紀之;池田 弥央;牧原 克典;宮﨑 誠一
- 通讯作者：宮﨑 誠一
熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御
Al 和 Ag/Ge(111) 热处理超薄 Ge 形成及层厚控制
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：大田 晃生;松下 圭吾;田岡 紀之;牧原 克典;宮﨑 誠一
- 通讯作者：宮﨑 誠一
Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111)
通过 Ge(111) 上的 Al(111) 薄膜偏析形成单锗烯相
- DOI：10.1088/2053-1583/ac2bef
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：5.5
- 作者：Yuhara Junji;Muto Hiroaki;Araidai Masaaki;Kobayashi Masato;Ohta Akio;Miyazaki Seiichi;Takakura Sho-ichi;Nakatake Masashi;Lay Guy Le
- 通讯作者：Lay Guy Le
Segregation control for ultrathin Ge layer in Al/Ge(111) system
Al/Ge(111)体系中超薄Ge层的偏析控制
- DOI：10.35848/1347-4065/ac19ff
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Ohta Akio;Kobayashi Masato;Taoka Noriyuki;Ikeda Mistuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
- 通讯作者：Miyazaki Seiichi
Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal
- DOI：10.35848/1347-4065/abdad0
- 发表时间：2021-02
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：A. Ohta;Kenzo Yamada;Hibiki Sugawa;N. Taoka;M. Ikeda;K. Makihara;S. Miyazaki
- 通讯作者：A. Ohta;Kenzo Yamada;Hibiki Sugawa;N. Taoka;M. Ikeda;K. Makihara;S. Miyazaki
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Ohta Akio其他文献
學校教育與日本考古學:初等中等教育的考古活動之歴史及現在
学校教育与日本考古学：中小学教育中考古活动的历史与现状
- DOI：
- 发表时间：20172017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Asakawa Hitoshi;Matsui Sayaka;Trinh Quang Thang;Hirao Hajime;Inokuma Yasuhide;Ogoshi Tomoki;Tanaka Saki;Komatsu Kayo;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Fukuma Takeshi;平田健・市元塁・瀬谷今日子・村野正景Asakawa Hitoshi;Matsui Sayaka;Trinh Quang Thang;Hirao Hajime;Inokuma Yasuhide;Ogoshi Tomoki;Tanaka Saki;Komatsu Kayo;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Fukuma Takeshi;平田健・市元塁・瀬谷今日子・村野正景
- 通讯作者：平田健・市元塁・瀬谷今日子・村野正景平田健・市元塁・瀬谷今日子・村野正景
Enhanced Aggregation of Stimuli Responsive Surfactants by Esterolytic Reactions
酯解反应增强刺激响应性表面活性剂的聚集
- DOI：10.5650/jos.ess1904310.5650/jos.ess19043
- 发表时间：20192019
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Asakawa Tsuyoshi;Fujii Akina;Yoneda Nodoka;Ohta Akio;Asakawa HitoshiAsakawa Tsuyoshi;Fujii Akina;Yoneda Nodoka;Ohta Akio;Asakawa Hitoshi
- 通讯作者：Asakawa HitoshiAsakawa Hitoshi
Study of Antioxidative Properties of Some Mono Amino-Acid-Type and Dipeptide-Type Surfactants
部分单氨基酸型和二肽型表面活性剂抗氧化性能的研究
- DOI：10.1002/jsde.1218010.1002/jsde.12180
- 发表时间：20182018
- 期刊：
- 影响因子：1.6
- 作者：Hossain Faisal;Ohta Akio;Yamane Yumi;Shizuka An-na;Asakawa Hitoshi;Asakawa TsuyoshiHossain Faisal;Ohta Akio;Yamane Yumi;Shizuka An-na;Asakawa Hitoshi;Asakawa Tsuyoshi
- 通讯作者：Asakawa TsuyoshiAsakawa Tsuyoshi
原子間力顕微鏡による固液界面現象の原子・分子スケールその場観察
使用原子力显微镜在原子和分子尺度上原位观察固液界面现象
- DOI：
- 发表时间：20202020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Asakawa Hitoshi;Matsui Sayaka;Trinh Quang Thang;Hirao Hajime;Inokuma Yasuhide;Ogoshi Tomoki;Tanaka Saki;Komatsu Kayo;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Fukuma Takeshi;淺川雅Asakawa Hitoshi;Matsui Sayaka;Trinh Quang Thang;Hirao Hajime;Inokuma Yasuhide;Ogoshi Tomoki;Tanaka Saki;Komatsu Kayo;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Fukuma Takeshi;淺川雅
- 通讯作者：淺川雅淺川雅
Solubilization of Genistein in Phospholipid Vesicles and Their Atioxidant Capacity
金雀异黄素在磷脂囊泡中的增溶作用及其抗氧化能力
- DOI：10.5650/jos.ess1818110.5650/jos.ess18181
- 发表时间：20192019
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Yamamoto Shunya;Ohta Akio;Hossain Faisal;Anjani Gemala;Asakawa Hitoshi;Asakawa TsuyoshiYamamoto Shunya;Ohta Akio;Hossain Faisal;Anjani Gemala;Asakawa Hitoshi;Asakawa Tsuyoshi
- 通讯作者：Asakawa TsuyoshiAsakawa Tsuyoshi
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Ohta Akio的其他基金
Formation and Characterization of Germanium Two-Dimensional Crystal on Insulating Substrate
绝缘基底上锗二维晶体的形成及表征
- 批准号：19H0216919H02169
- 财政年份：2019
- 资助金额：$ 4.16万$ 4.16万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Self-organized Formation of Ge-based Two-dimensional Crystals and Control of Crystalline Structure and Electronic State
锗基二维晶体的自组织形成及晶体结构和电子态的控制
- 批准号：18K1902018K19020
- 财政年份：2018
- 资助金额：$ 4.16万$ 4.16万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Study on defect distribution and resistive switching behaviors of Si oxide thin films
氧化硅薄膜缺陷分布及阻变行为研究
- 批准号：15H0552015H05520
- 财政年份：2015
- 资助金额：$ 4.16万$ 4.16万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Growth and Characterization of Silicon-based Two-Dimensional Materials
硅基二维材料的生长和表征
- 批准号：15K1394315K13943
- 财政年份：2015
- 资助金额：$ 4.16万$ 4.16万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory ResearchGrant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
Design of 2D heterostructures by crystal growth
通过晶体生长设计二维异质结构
- 批准号：21H0176821H01768
- 财政年份：2021
- 资助金额：$ 4.16万$ 4.16万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Mathematical analyses on predictions and controls for stable structures of free boundaries with feedback-type phase changes
反馈型相变自由边界稳定结构预测与控制的数学分析
- 批准号：20K0367220K03672
- 财政年份：2020
- 资助金额：$ 4.16万$ 4.16万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Preparation of Functional Organic Molecular Crystallin System Showing Reversible Structure Transformation
可逆结构转变功能有机分子结晶体系的制备
- 批准号：18K0508018K05080
- 财政年份：2018
- 资助金额：$ 4.16万$ 4.16万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Creation and Development of Nanoscale Laboratory
纳米实验室的创建与发展
- 批准号：17H0611917H06119
- 财政年份：2017
- 资助金额：$ 4.16万$ 4.16万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Combinatorial high-throughput screening for multi-element system lithium ion secondary battery cathode materials
多元素体系锂离子二次电池正极材料的组合高通量筛选
- 批准号：2541025125410251
- 财政年份：2013
- 资助金额：$ 4.16万$ 4.16万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)Grant-in-Aid for Scientific Research (C)