Development of advanced luminescent functionality by control of atomic configuration in rare-earth doped semiconductors

通过控制稀土掺杂半导体中的原子构型开发先进的发光功能

• 批准号: 20900123
• 负责人: FUJIWARA Yasufumi
• 金额: --
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20900123/
• 关键词: 秩序制御; 高次発光機能; 発光ダイナミクス; 局所構造; 希土類元素

项目成果

Optical properties of GaInP/GaAs : Er, O/GaInP laser diodes on p-type GaAs substrates grown by organometallic vapor phase epitaxy

GaInP/GaAs 的光学特性：有机金属气相外延生长的 p 型 GaAs 衬底上的 Er、O/GaInP 激光二极管

• 发表时间: 2009
• 期刊: IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 1
• 作者: S. Tanabe;J. Ueda;A. Ishida;田部勢津久;Y. OTA
• 通讯作者: Y. OTA

希土類添加GaAs結晶の原子レベル制御成長と新規発光デバイスへの応用

稀土掺杂GaAs晶体的原子级控制生长及其在新型发光器件中的应用

• 发表时间: 2008
• 期刊: オプトロニクス 27
• 作者: 安井遼;鈴木雄斗;松岡成居 熊田亜紀子;日高邦彦;Y. OTA;Y. TERM;Y. FUJIWARA;Y. FUJIWARA;K. YAMAOKA;K. SHIMADA;Y. TERM;K. FUJII;K. SHIMADA;A. FUJITA;Y. TERM;藤原康文
• 通讯作者: 藤原康文

GaAs emission from GaInP/Er, O-codoped GaAs/GaInP laser diodes grown by organometallic vapor Phase epitaxy

有机金属气相外延生长的 GaInP/Er、O 共掺杂 GaAs/GaInP 激光二极管的 GaAs 发射

• 发表时间: 2008
• 期刊: Physica Status Solidi (c) (印刷中)
• 作者: 鬼頭稔;渡邊純兵;竹下隆晴;西田保幸;Y. FUJIWARA;Takaharu Takeshita;K. SHIMADA;A. FUJITA;Y. TERM;K. FUJII
• 通讯作者: K. FUJII

希土類添加半導体の新展開 : 秩序制御と高次量子機能の発現

稀土掺杂半导体新进展：阶次控制与高阶量子函数发展

• 发表时间: 2009
• 作者: 安井遼;鈴木雄斗;松岡成居 熊田亜紀子;日高邦彦;Y. OTA;Y. TERM;Y. FUJIWARA;Y. FUJIWARA;K. YAMAOKA;K. SHIMADA;Y. TERM;K. FUJII;K. SHIMADA;A. FUJITA;Y. TERM;藤原康文;Y. FUJIWARA;Y. TERAI;Y. TERAI;K. SHIMADA;A. FUJITA;K. FUJII;K. SHIMADA;Y. FUJIWARA;日高圭二;Y. FUJIWARA;藤原康文
• 通讯作者: 藤原康文

Electron spin resonance study on Er, O-codoped GaAs

Er、O共掺杂GaAs的电子自旋共振研究

• 发表时间: 2008
• 作者: 安井遼;鈴木雄斗;松岡成居 熊田亜紀子;日高邦彦;Y. OTA;Y. TERM;Y. FUJIWARA;Y. FUJIWARA;K. YAMAOKA;K. SHIMADA;Y. TERM;K. FUJII;K. SHIMADA;A. FUJITA;Y. TERM;藤原康文;Y. FUJIWARA;Y. TERAI;Y. TERAI;K. SHIMADA;A. FUJITA;K. FUJII;K. SHIMADA;Y. FUJIWARA;日高圭二;Y. FUJIWARA;藤原康文;H. OHTA
• 通讯作者: H. OHTA