Development of terahertz emitters and detectors using rare-earth-doped semiconductors

使用稀土掺杂半导体开发太赫兹发射器和探测器

基本信息

批准号：
23656220
负责人：
FUJIWARA Yasufumi
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2012
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656220/
关键词：
希土類添加半導体テラヘルツ波

项目摘要

We have investigated the properties of terahertz emitters and detectors using Er,O-codoped GaAs (GaAs:Er,O) which exhibits ultrafast carrier relaxation at room temperature. Under the irradiation of the light from a femto-second laser, we succeeded in the observation of terahertz emission. The amplitude of the emission increased with the excitation power, followed by the successive saturation. The amplitude was enhanced in an emitter with a multi-layer structure,. Terahertz emission was also detected successfully using GaAs:Er,O.

我们研究了使用 Er,O 共掺杂 GaAs (GaAs:Er,O) 的太赫兹发射器和探测器的特性，该器件在室温下表现出超快载流子弛豫。在飞秒激光的照射下，我们成功观测到了太赫兹发射。发射幅度随着激发功率的增加而增加，随后逐渐饱和。具有多层结构的发射器的振幅得到增强。使用 GaAs:Er,O 也成功检测到太赫兹发射。

项目成果

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专著数量（0）

科研奖励数量（0）

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专利数量（0）

希土類添加の発光素子

稀土掺杂发光器件

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
光技術動向調査報告書
影响因子：
0
作者：
H. Katsuno;H. Ohta;O. Portugall;N.s Ubrig;M. Fujisawa;F. Elmasry;S. Okubo;and Y. Fujiwara:;Tokihiro Ikeda;Koji Kotani;藤原康文
通讯作者：
藤原康文

希土類元素がもたらす桃源郷！～希土類添加半導体と発光ダイオードへの応用～

稀土元素给您带来的天堂！

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
R. Horikawa;A. Tou;M. Nakano;T. Yanai;H. Fukunaga;藤原康文
通讯作者：
藤原康文

ESR study of photoluminescent material GaAs : Er, O-Er concentration effect-

光致发光材料GaAs的ESR研究：Er、O-Er浓度效应-

DOI：
10.1063/1.3556453
发表时间：
2011
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
M. Fujisawa;A. Asakura;F. Elmasry;S. Okubo;H. Ohta;and Y. Fujiwara
通讯作者：
and Y. Fujiwara

Advanced materials design of rare-earth-doped semiconductors by organometallic vapor phase epitaxy (Chapter 21)

通过有机金属气相外延进行稀土掺杂半导体的先进材料设计（第21章）

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Fujiwara;Y. Terai;and A. Nishikawa
通讯作者：
and A. Nishikawa

希土類添加半導体を用いた発光デバイスの新展開

使用稀土掺杂半导体的发光器件的新进展

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
寺井慶和;西川敦;藤原康文
通讯作者：
藤原康文

DOI：
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FUJIWARA Yasufumi其他文献

Formation and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core-shell nanowires grown by organometallic vapor phase epitaxy

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DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
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影响因子：
1.5
作者：
Otabara Takaya;Tatebayashi Jun;Hasegawa Shunya;Timmerman Dolf;Ichikawa Shuhei;Ichimiya Masayoshi;ASHIDA Masaaki;FUJIWARA Yasufumi
通讯作者：
FUJIWARA Yasufumi

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2022
期刊：
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影响因子：
1.5
作者：
Yokoyama Naoki;Tanabe Ryo;Yasuda Yuma;Honda Hiroto;Ichikawa Shuhei;FUJIWARA Yasufumi;HIKOSAKA TOSHIKI;Uemukai Masahiro;TANIKAWA Tomoyuki;KATAYAMA Ryuji
通讯作者：
KATAYAMA Ryuji