Development of Properties and Functionalities by Precise Control of Rare-Earth Doping

通过精确控制稀土掺杂来开发性能和功能

基本信息

批准号：
19GS1209
负责人：
FUJIWARA Yasufumi
金额：
$ 336.96万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Creative Scientific Research
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

We have doped rare-earth(RE) elements to III-V semiconductors using atomically-controlled crystal-growth techniques and investigated luminescent and magnetic properties due to RE ions. Ultrafast energy transfer from the host to RE ions was revealed in the materials. The first demonstration of red emission was succeeded in a nitride-based light-emitting diode with Eu-doped GaN. The room-temperature ferromagnetism was proved to be induced by carriers. The feasibility to develop new opto-magnetic devices was also confirmed.

我们使用原子控制晶体生长技术将稀土 (RE) 元素掺杂到 III-V 族半导体中，并研究了稀土离子引起的发光和磁性。该材料揭示了从主体到稀土离子的超快能量转移。红光发射的首次演示在具有 Eu 掺杂 GaN 的氮化物基发光二极管中获得成功。室温铁磁性被证明是由载流子引起的。开发新型光磁器件的可行性也得到了证实。

项目成果

期刊论文数量（120）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based red light-emitting diode by OMVPE

DOI：
10.1002/pssa.200983467
发表时间：
2010-06-01
期刊：
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
影响因子：
2
作者：
Nishikawa, Atsushi;Kawasaki, Takashi;Fujiwara, Yasufumi
通讯作者：
Fujiwara, Yasufumi

Optical and magnetic properties in epitaxial GdN thin film

外延 GdN 薄膜的光学和磁学特性

DOI：
10.1103/physrevb.83.155202
发表时间：
2011
期刊：
Physical Reviews B
影响因子：
0
作者：
H. Yoshitomi;S. Kitayama;T. Kita;O. Wada;M. Fujisawa;H. Ohta;and T. Sakurai
通讯作者：
and T. Sakurai

Annealing effect in GaDyN on optical and magnetic properties

GaDyN 的退火效应对光学和磁性能的影响

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y.K.Zhou;M.Takahashi;S.Kimura;S.Emura;S.Hasegawa;H.Asahi
通讯作者：
H.Asahi

Organometallic vapor phase epitaxy of Er, O-codoped GaAs using trisdipivaloylmethanatoerbium

使用三二新戊酰甲烷铒进行 Er、O 共掺杂 GaAs 的有机金属气相外延

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
Journal of Physics: Conference Series 106
影响因子：
0
作者：
Y. K. Zhou;S. W. Choi;S. Emura;S. Hasegawa;H. Asahi;SHIMADA K.;TERAI Y.;FUJITA A.;TERAI Y.
通讯作者：
TERAI Y.

Room-temperature operation of red light-emitting diodes with europium-doped gallium nitride grown by organometallic vapor phase epitaxy

有机金属气相外延生长掺铕氮化镓红色发光二极管的室温工作

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Fujiwara;A. Nishikawa;and Y. Terai;Y.Fujiwara;藤原康文
通讯作者：
藤原康文

DOI：
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FUJIWARA Yasufumi其他文献

Formation and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core-shell nanowires grown by organometallic vapor phase epitaxy

有机金属气相外延生长 GaN:Eu/GaN 核壳纳米线的形成及光学特性

DOI：
10.35848/1347-4065/ac4e4c
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Otabara Takaya;Tatebayashi Jun;Hasegawa Shunya;Timmerman Dolf;Ichikawa Shuhei;Ichimiya Masayoshi;ASHIDA Masaaki;FUJIWARA Yasufumi
通讯作者：
FUJIWARA Yasufumi

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通过表面激活键合形成垂直极性反转的GaN通道波导，用于波长转换

DOI：
10.35848/1347-4065/ac57ab
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yokoyama Naoki;Tanabe Ryo;Yasuda Yuma;Honda Hiroto;Ichikawa Shuhei;FUJIWARA Yasufumi;HIKOSAKA TOSHIKI;Uemukai Masahiro;TANIKAWA Tomoyuki;KATAYAMA Ryuji
通讯作者：
KATAYAMA Ryuji