Development of highly efficient wavelength-conversion materials for next-generation solar cells using rare-earth ions doped in semiconductors
使用半导体中掺杂的稀土离子开发用于下一代太阳能电池的高效波长转换材料
基本信息
- 批准号:16K14233
- 负责人:
- 金额:$ 2.33万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Controllable energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted MOCVD
溅射辅助 MOCVD 生长的 Tm、Yb 共掺杂 ZnO 中 Tm3 和 Yb3 离子之间的可控能量转移
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Kamei;S. Takano;G. Yoshii;T. Kojima;A. Koizumi;and Y. Fujiwara
- 通讯作者:and Y. Fujiwara
Controllable energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition
溅射辅助金属有机化学气相沉积生长的 Tm、Yb 共掺杂 ZnO 中 Tm3 和 Yb3 离子之间的可控能量转移
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Kamei;S. Takano;G. Yoshii;T. Kojima;and Y. Fujiwara
- 通讯作者:and Y. Fujiwara
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
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{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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$ 2.33万 - 项目类别:
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