Research and development on novel-semiconductor nanowire light emitting devices towards next-generation smart devices

面向下一代智能设备的新型半导体纳米线发光器件的研究与开发

基本信息

批准号：
19H02573
负责人：
Tatebayashi Jun
金额：
$ 11.07万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（16）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Formation and optical characteristics of ZnO:Tm,Yb/ZnO nanowires towards photovoltaic applications

光伏应用中 ZnO:Tm,Yb/ZnO 纳米线的形成和光学特性

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. Tatebayashi;T. Nakajima;N. Nishiyama;D. Timmerman;S. Ichikawa and Y. Fujiwara
通讯作者：
S. Ichikawa and Y. Fujiwara

Society 5.0実現に役立つ希土類ナノフォトニクスの開拓

开发稀土纳米光子学，帮助实现社会5.0

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
舘林潤;西山直登;西村和人;大田原崇也;谷口輝樹;Fang Zhidong;市川修平;藤原康文
通讯作者：
藤原康文

Growth and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core-shell nanowires by organometallic vapor phase epitaxy

有机金属气相外延生长 GaN:Eu/GaN 核壳纳米线及其光学特性

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Otabara;J. Tatebayashi;S. Hasegawa;S. Ichikawa;M. Ashida;and Y. Fujiwara
通讯作者：
and Y. Fujiwara

Exploration of semiconductor nanowire photonics towards advent of super-smart societies

探索半导体纳米线光子学以实现超级智能社会的到来

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
大田原崇也;舘林潤;長谷川竣也;市川修平;芦田昌明;藤原康文;Jun Tatebayashi
通讯作者：
Jun Tatebayashi

超スマート社会実現に資するナノワイヤフォトニクスの開拓

开发纳米线光子学，为实现超级智能社会做出贡献

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
舘林潤;市川修平;藤原康文
通讯作者：
藤原康文

DOI：
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作者：
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Tatebayashi Jun其他文献

Evaluations of Selective Dry Etching of GaAs Core Layer having Embedded InAs Quantum Dots Using Optical Measurements towards Photonic Crystal Laser Fabrication

使用光学测量对光子晶体激光制造对嵌入 InAs 量子点的 GaAs 核心层进行选择性干法蚀刻的评估

DOI：
10.23919/am-fpd49417.2020.9224508
发表时间：
2020
期刊：
Proceedings of 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD 2020)
影响因子：
0
作者：
Okunaga Takumi;Nozue Tatsuhiro;Xiong Yifan;Kajii Hirotake;Morifuji Masato;Tatebayashi Jun;Fujiwara Yasufumi;Nishihashi Tsutomu;Kondow Masahiko
通讯作者：
Kondow Masahiko

Design considerations of III-nitride-based two-dimensional photonic crystal cavities with crystallographically induced disorder

具有晶体学诱导无序的 III 族氮化物基二维光子晶体腔的设计考虑

DOI：
10.35848/1882-0786/ac3545
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Iwaya Takenori;Ichikawa Shuhei;Murakami Masato;Timmerman Dolf;Tatebayashi Jun;Fujiwara Yasufumi
通讯作者：
Fujiwara Yasufumi

Quantitative study of energy-transfer mechanism in Eu,O-codoped GaN by time-resolved photoluminescence spectroscopy

时间分辨光致发光光谱定量研究Eu,O共掺杂GaN中的能量转移机制

DOI：
10.1063/1.5011283
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Inaba Tomohiro;Kojima Takanori;Yamashita Genki;Matsubara Eiichi;Mitchell Brandon;Miyagawa Reina;Eryu Osamu;Tatebayashi Jun;Ashida Masaaki;Fujiwara Yasufumi
通讯作者：
Fujiwara Yasufumi

Droop-free amplified red emission from Eu ions in GaN

GaN 中 Eu 离子的无下降放大红光发射

DOI：
10.35848/1347-4065/ac3b88
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Takeo Atsushi;Ichikawa Shuhei;Maeda Shogo;Timmerman Dolf;Tatebayashi Jun;Fujiwara Yasufumi
通讯作者：
Fujiwara Yasufumi

GaAs 基板上にモノリシック成長させたSbに基づく2μmの連続波,室温度動作,光学励起垂直‐外部空洞表面放射レーザ

2 μm 连续波、室温操作、光泵垂直外腔表面发射激光器，基于 GaAs 衬底上单片生长的 Sb

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
J. Thomas;Tatebayashi Jun;Senanayake Pradeep;B. Ganesh;R. Marcel;Wagner Joachim;Hader Joerg;V. Jerome;W. Stephan;Dawson L.Ralph;L. Diana
通讯作者：
L. Diana