金属錯体による異方性格子の構築と固体物性制御

使用金属配合物构建各向异性晶格并控制固态特性

基本信息

批准号：
04205129
负责人：
宗像惠
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Kinki University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究ではtetrakis-(methylthio)tetrathiafulvalene(tmt-TTF)を用いることにより金属としてハロゲン化銅(I)の分子集合体を構築し、さよにヨウ素で部分酸化し高伝導性機能を付与することを目的とした。(1)[(CuI)2(tmt-TTF)]_∞:Cuが2つのIとtmt-TTFの2つのSで架橋された一次元無限鎖構造である。Cu-S距離は2.38Aである。隣接無限鎖間の最近接S…S間距離は3.75Aであり、これはSのvan der Waals半径(3.60A)よりも若干長いが伝導経路となる可能性がある。なおtmt-TTF間のstackingは存在しない。[(CuI)_2(tmt-TTF)]_∞の固体状態での電子スペクトルは510nm付近にCuIからtmt-TTFへのCTbandを与えた。[(CuI)2(tmt-TTF)]_∞をヨウ素でドーピングした黒色粉末{[(CuI)2(tmt-TTF)]Ix}_∞の固体状態での電子スペクトルは450nmから700nmの間に幅広い吸収を与えた。この化合物のlogσ(電気伝導度)は室温で-1.7Scm^<-1>であり、これは半導体電気伝導度範囲にある。ヨウ素ドープによりドナー分子のtmt-TTFが部分酸化され、このような高い伝導性を示したと考えられる。(2)[(CuBr)2(tmt-TTF)]_∞:Cuがtmt-TTFとBrで架橋された無限鎖構造をとっている。またCu-Cu間を1つのBrが架橋している。注目されることはCuとBrがらせん構造を形成していることである。さらにtmt-TTFがこの骨格間を架橋した二次元ネットワーク構造をとっている。以上、ハロゲン化銅(I)を用いて分子集合体を構築するのにtmt-TTFは極めて有効な配位子であることが示された。ここで合成した[(CuI)_2(tmt-TTF)]_∞と[(CuBr)2(tmt-TTF)]_∞はTTF系配位子が直接金属に配位した初めての例である。TTF系配位子は容易に部分酸化できるため、その錯体に電気伝導性機能が付与できるという長所を有する。

在这项研究中，使用四藻（甲基硫酸盐）四藻（TMT-TTF）来构建卤素（i）的分子骨料作为金属，部分用碘和高电导率氧化。（1）[（CUI）2（TMT-TTF）]_∞：Cu是连接到两个S，两个I和TMT-TTFFFF的一维无限结构。 Cu-S距离为2.38a。相邻无限链之间的最新接触为3.75a，可能比范德华半径（3.60a）更长。 TMT-TTF之间没有堆叠。 [（CUI）_2（TMT-TTF）]_∞的固态中的电子光谱在510nm附近从CUI到TMT-TTF的CTBAND。 [（CUI）2（TMT-TTF）] _给定广泛的吸收。该化合物的量σ（电导率）为-1.7SCM^<-1>在室温下，该量为半导体电导率范围内。碘涂料可能部分氧化了供体分子TMT-TTF，表明电导率如此之高。（2）[（CUBR）2（TMT-TTF）]_∞：CU具有由TMT-TTF和BR连接的无限链结构。另外，Cu-Cu之间的一座BR桥。值得注意的是CU和BR是形成的。此外，TMT-TTF具有二维网络结构，可穿越骨架。以上表明，TMT-TTF是使用卤化铜（I）建造分子收集的非常有效的配体。 [（CUI）_2（TMT-TTF）]_∞和[（CUR）2（TMT-TTF）] _基于TTF的协调器的优点是可以部分地将复合物分析，因此可以将电导率函数应用于复合物。