Formation of dislocation-free germanium on strain-induced silicon substrate

在应变诱导硅衬底上形成无位错锗

基本信息

  • 批准号：
    23656208
  • 负责人：
    ISHIKAWA Yasuhiko
  • 金额：
    $ 2.5万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2011
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2011 至 2012
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

A method to decrease the dislocation density in Ge grown on Si substrate was examined. Introducing a tensile lattice strain at the Si surface with a stressor of patterned SiN_x film, the lattice mismatch between Ge and Si was reduced, leading to a possible decrease of the dislocation density in Ge. Using a double layer mask of a SiO_2 layer on the SiN_x stressor, a perfect selective growth of Ge was realized on the exposed region of Si surface, although the threading dislocation density was10^9 cm^-2, being similar to those for the growth with SiO_2 masks.
研究了降低在Si衬底上生长的Ge的位错密度的方法。通过图案化SiN_x薄膜的应力源在Si表面引入拉伸晶格应变，减少了Ge和Si之间的晶格失配，从而可能降低Ge中的位错密度。利用SiN_x应力源上的SiO_2层双层掩模，在Si表面暴露区域实现了Ge的完美选择性生长，尽管穿透位错密度为10^9 cm^-2，与生长的情况相似。与 SiO_2 掩膜。

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Si上Ge層を用いた□アクティブ光デバイス
□使用Si上Ge层的有源光学器件
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Suda;Y. Sugioka;R. Kunimoto;H. Tanoue;H. Takikawa;H. Ue;K. Shimizu and Y. Umeda;國本 隆司， 米村 泰一郎，須田 善行，田上 英人，滝川 浩史，植 仁志，清水 一樹，梅田 良人;Yasuhiko Ishikawa;石川靖彦
  • 通讯作者：
    石川靖彦
Si/Ge Photon. for Comm. & Sens. Appl.
硅/锗光子。
  • DOI：
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    滝川 浩史;他;Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Yasuhiko Ishikawa
Challenges in Silicon/Germanium-based Photonics - From On-chip Optical Communications to Optical Sensing -
硅/锗基光子学的挑战 - 从片上光通信到光学传感 -
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Suda;Y. Sugioka;R. Kunimoto;H. Tanoue;H. Takikawa;H. Ue;K. Shimizu and Y. Umeda;國本 隆司， 米村 泰一郎，須田 善行，田上 英人，滝川 浩史，植 仁志，清水 一樹，梅田 良人;Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Yasuhiko Ishikawa
Si上Ge層を用いたアクティブ光デバイス
使用 Si 上的 Ge 层的有源光学器件
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Kamihira;Maziah. N. B. Ishak;S. Narita and H. Yamada;滝川浩史　ほか;石川靖彦
  • 通讯作者：
    石川靖彦
Si/Ge Photonics for Communication and Sensing Applications
用于通信和传感应用的硅/锗光子学
  • DOI：
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    杉岡 由基;須田 善行;田上 英人;滝川 浩史;植 仁志;清水 一樹;梅田 良人;Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Yasuhiko Ishikawa
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