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Si上Ge層を用いた□アクティブ光デバイス Si上Ge層を用いた□アクティブ光デバイス
Si上Ge層を用いた□アクティブ光デバイス
Si上Ge層を用いた□アクティブ光デバイス□使用Si上Ge层的有源光学器件
基本信息
DOI：
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--发表时间：
2012
2012期刊：
影响因子：
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--通讯作者：
石川靖彦
石川靖彦中科院分区：
文献类型：
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-- 作者： Y. Suda;Y. Sugioka;R. Kunimoto;H. Tanoue;H. Takikawa;H. Ue;K. Shimizu and Y. Umeda;國本 隆司， 米村 泰一郎，須田 善行，田上 英人，滝川 浩史，植 仁志，清水 一樹，梅田 良人;Yasuhiko Ishikawa;石川靖彦
研究方向： --
MeSH主题词： --
关键词： --
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文献摘要
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数据更新时间：2024-06-01
关联基金
Formation of dislocation-free germanium on strain-induced silicon substrate
批准号：
23656208
23656208批准年份：
2011
2011资助金额：
2.5
2.5项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research