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Development of Er-doped Si Quantum Well Light Emitting Devices
掺铒硅量子阱发光器件的研制
基本信息
- 批准号：19360138
- 负责人：
- 金额：$ 11.9万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
室温動作するSi 系1.5μm 帯発光素子実現に向け、Er をドープしたSi 量子井戸を作製し、発光特性評価を行った。検討した2 種類の方法のうち、SiO2 上へのEr ドープSi 成長を利用する方法により、多結晶ではあるがEr ドープSi 量子井戸の作製に成功した。フォトルミネセンス測定の結果、Er の内殻遷移による1.54μm の室温発光を得ることができた。Si の量子井戸化により温度消光が低減されるという本研究提案が実証できた可能性がある。
为了意识到在室温下运行的基于SI的1.5μm波段发光装置，制造了ER掺杂的Si量子孔，并评估了发光特性。在研究的两种方法中，我们通过使用SIO2上的ER掺杂的Si生长来成功制造了掺杂的型晶晶ER型Si量子。光致发光的测量表明，由于ER的内壳过渡，获得了1.54μm的室温发射。这项研究建议可能证明了SI的量子井会降低温度淬火。
项目成果
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专著数量（0）
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专利数量（0）
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