Longer-wavelength operation of germanium-on-silicon light-emission and photodetection devices using lattice strain control

使用晶格应变控制的硅基锗发光和光电检测装置的较长波长操作

基本信息

  • 批准号：
    24360133
  • 负责人：
    ISHIKAWA Yasuhiko
  • 金额：
    $ 12.23万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2012
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

暂无数据

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Si Photonics for Sensing Applications
用于传感应用的硅光子学
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    津崎翔伍;齊藤一幸;高橋応明;伊藤公一;橋口裕樹,武井宗久,小瀬村大亮,小椋厚志;Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Yasuhiko Ishikawa
Silicon/Germanium-Based Photonics for Information Technology and Sensing
用于信息技术和传感的硅/锗基光子学
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    西浦 陽平;上津原 大;東川 甲平;井上 昌睦;木須 隆暢;吉積 正晃;和泉 輝郎;Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Yasuhiko Ishikawa
An Increased Red Shift in Near-infrared Light Emission from Ge Microbeam Strictures on Si Induced by an Externally Applied Uniaxial Stress
外部施加的单轴应力引起硅上 Ge 微束结构的近红外光发射红移增加
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tatsuji Kaiwa;Kazumi Wada;Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Yasuhiko Ishikawa
Ge-on-Si photonic devices for photonic-electronic integration on a Si platform
  • DOI：
    10.1587/elex.11.20142008
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    IEICE Electron. Express
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Ishikawa;S. Saito
  • 通讯作者：
    Y. Ishikawa;S. Saito
フォトルミネセンス測定によるGe微細梁構造のバンドギャップ評価
通过光致发光测量评估Ge微束结构的带隙
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    海和達史;石川靖彦;和田一実
  • 通讯作者：
    和田一実
共 9 条
  • 1
  • 2
前往
页

ISHIKAWA Yasuhiko的其他基金

Formation of dislocation-free germanium on strain-induced silicon substrate
在应变诱导硅衬底上形成无位错锗
  • 批准号：
    23656208
    23656208
  • 财政年份：
    2011
  • 资助金额：
    $ 12.23万
    $ 12.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Development of light emitting devices in 1. 5μm range using germanium epitaxial layers on silicon
使用硅上的锗外延层开发 1.5μm 范围内的发光器件
  • 批准号：
    21360163
    21360163
  • 财政年份：
    2009
  • 资助金额：
    $ 12.23万
    $ 12.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of Er-doped Si Quantum Well Light Emitting Devices
掺铒硅量子阱发光器件的研制
  • 批准号：
    19360138
    19360138
  • 财政年份：
    2007
  • 资助金额：
    $ 12.23万
    $ 12.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Selective area formation and optical device application of Si islands by thermal agglomeration of SOI layers
SOI层热团聚硅岛的选择性区域形成及光学器件应用
  • 批准号：
    13650011
    13650011
  • 财政年份：
    2001
  • 资助金额：
    $ 12.23万
    $ 12.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似国自然基金

基于石墨相氮化碳的高效异相光芬顿体系的构筑及其降解水中有机污染物性能研究
  • 批准号：
  • 批准年份：
    2022
  • 资助金额：
    54 万元
  • 项目类别：
    面上项目
基于光致太赫兹发射光谱的拓扑半金属激发态拓扑物性研究
  • 批准号：
  • 批准年份：
    2022
  • 资助金额：
    55 万元
  • 项目类别：
    面上项目
基于石墨相氮化碳的高效异相光芬顿体系的构筑及其降解水中有机污染物性能研究
  • 批准号：
    52270061
  • 批准年份：
    2022
  • 资助金额：
    54.00 万元
  • 项目类别：
    面上项目
基于光致太赫兹发射光谱的拓扑半金属激发态拓扑物性研究
  • 批准号：
    12274318
  • 批准年份：
    2022
  • 资助金额：
    55.00 万元
  • 项目类别：
    面上项目
基于高精度时空分辨超快光声技术的材料微纳结构和物性三维层析成像的无损分析仪器
  • 批准号：
  • 批准年份：
    2020
  • 资助金额：
    757 万元
  • 项目类别：
    国家重大科研仪器研制项目

相似海外基金

Study on third-order nonlinear optical susceptibility tensor in non-degenerated two beams for all-optical switching devices by two-photon absorption
双光子吸收全光开关器件非简并两光束三阶非线性光学磁化率张量研究
  • 批准号：
    26420268
    26420268
  • 财政年份：
    2014
  • 资助金额：
    $ 12.23万
    $ 12.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Generation and control of quantum correlated photons from atomic-layer doped semiconductors
原子层掺杂半导体量子相关光子的产生和控制
  • 批准号：
    24360004
    24360004
  • 财政年份：
    2012
  • 资助金额：
    $ 12.23万
    $ 12.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of light emitting devices in 1. 5μm range using germanium epitaxial layers on silicon
使用硅上的锗外延层开发 1.5μm 范围内的发光器件
  • 批准号：
    21360163
    21360163
  • 财政年份：
    2009
  • 资助金额：
    $ 12.23万
    $ 12.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Semiconductor Photonic Devices based on Control of Carrier Energy Relaxation
基于载流子能量弛豫控制的半导体光子器件
  • 批准号：
    21360165
    21360165
  • 财政年份：
    2009
  • 资助金额：
    $ 12.23万
    $ 12.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Single Photon Generation from locally doped semiconductors
局部掺杂半导体的单光子产生
  • 批准号：
    21360004
    21360004
  • 财政年份：
    2009
  • 资助金额：
    $ 12.23万
    $ 12.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)