Single Photon Generation from locally doped semiconductors

局部掺杂半导体的单光子产生

基本信息

批准号：
21360004
负责人：
YAGUCHI Hiroyuki
金额：
$ 11.81万
依托单位：
Saitama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

We have fabricated locally doped semiconductors using atomic layer doping to realize the generation of unpolarized single photons with highly reproducible wavelengths, which is essential in the field of quantum information technology, such as quantum cryptography. We have obtained unpolarized single photons by selecting a proper face of the substrate to grow nitrogen atomic layer doped semiconductors. In addition, we have successfully observed biexcition emission from nitrogen atomic layer doped semiconductors, which leads to the generation of entangled photon pairs.

我们已经使用原子层掺杂制造了局部掺杂的半导体，以实现具有高度可重复的波长的非极化单光子的产生，这在量子信息技术领域（例如量子密码学）至关重要。我们通过选择底物的适当面来生长氮原子层掺杂的半导体，从而获得了非极化的单光子。此外，我们已经成功地观察到了氮原子层掺杂的半导体的Biexcition发射，这导致了纠缠光子对的产生。

项目成果

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Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs

氮原子层掺杂 GaAs 中单电子陷阱的双激子发射

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Takamiya;T. Fukushima;S. Yagi;Y. Hijikata;T. Mochizuki;M. Yoshita;H. Akiyama;S. Kuboya;K. Onabe;R. Katayama;H. Yaguchi
通讯作者：
H. Yaguchi

極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性

极低氮浓度 GaAsN 中氮对发射的氮浓度依赖性

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
石川輝;八木修平;土方泰斗;吉田貞史;岡野真人;望月敏光;吉田正裕;秋山英文;窪谷茂幸;尾鍋研太郎;片山竜二;矢口裕之
通讯作者：
矢口裕之

窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究

氮δ掺杂GaAs中氮原子对排列形成等电子陷阱的研究

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
星野真也;遠藤雄太;福島俊之;高宮健吾;八木修平;土方泰斗;望月敏光;吉田正裕;秋山英文;窪谷茂幸;尾鍋研太郎;片山竜二;矢口裕之
通讯作者：
矢口裕之

Photoluminescence from single is electronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A

GaAs(111)A 上生长的氮 δ 掺杂 GaAs 中单层电子陷阱的光致发光

DOI：
10.1016/j.physe.2009.12.011
发表时间：
2010
期刊：
Physica
影响因子：
0
作者：
T. Fukushima;Y. Hijikata;H. Yaguchi;S. Yoshida;M. Okano;M. Yoshita;H. Akiyama;S. Kuboya;R. Katayama;K. Onabe
通讯作者：
K. Onabe

窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響

单轴应力对氮 δ 掺杂 GaAs 中氮原子对形成的单个等电子陷阱发射的影响