Epitaxial growth of Ge with low defect density on ultrathin Si layers

超薄硅层上低缺陷密度Ge外延生长

基本信息

  • 批准号：
    25630121
  • 负责人：
    Ishikawa Yasuhiko
  • 金额：
    $ 2.58万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2013
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
High-field properties of Ge pin photodiodes on Si
Si 上 Ge pin 光电二极管的高场特性
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    永友翔;川俣勇太;石川靖彦;Sho Nagatomo and Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Sho Nagatomo and Yasuhiko Ishikawa
Si上へのGeのエピタキシャル成長：Siフォトニクスへの展開
Ge 在 Si 上的外延生长：Si 光子学的发展
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    真空ジャーナル
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    石川靖彦
  • 通讯作者：
    石川靖彦
Ge-based Photonic Devices on Si
硅基 Ge 光子器件
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    石川靖彦;Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Yasuhiko Ishikawa
レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化
使用激光退火提高 Si 上的 Ge pin 光电二极管的性能
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    永友翔;川俣勇太;石川靖彦
  • 通讯作者：
    石川靖彦
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Ishikawa Yasuhiko其他文献

Si-capping-induced surface roughening on the strip structures of Ge selectively grown on an Si substrate
Si 覆盖导致 Si 衬底上选择性生长的 Ge 带状结构表面粗糙化
  • DOI：
    10.1116/6.0001142
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Journal of Vacuum Science and Technology B
  • 影响因子：
    1.4
  • 作者：
    Katamawari Riku;Kawashita Kazuki;Hizawa Takeshi;Ishikawa Yasuhiko
  • 通讯作者：
    Ishikawa Yasuhiko
Impact of interface recombination on direct-gap photoluminescence from Ge epitaxial layers on Si
界面复合对 Si 上 Ge 外延层直接带隙光致发光的影响
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/aafd96
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Yako Motoki;Higashitarumizu Naoki;Ishikawa Yasuhiko
  • 通讯作者：
    Ishikawa Yasuhiko
(Invited) Selective Epitaxy of Submicron Ge Wire Structures for Photodetectors and Optical Modulators in Si Photonics
（特邀）硅光子学中光电探测器和光调制器用亚微米Ge线结构的选择性外延
  • DOI：
    10.1149/10404.0147ecst
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ishikawa Yasuhiko;Noguchi Kyosuke;Tachibana Mayu;Kawashita Kazuki;Oyamada Ryota;Motomura Kazuki;Sonoi Shuhei;Katamawari Riku;Hizawa Takeshi
  • 通讯作者：
    Hizawa Takeshi
High concentration phosphorus doping in Ge for CMOS-integrated laser applications
用于 CMOS 集成激光应用的 Ge 中高浓度磷掺杂
  • DOI：
    10.1016/j.sse.2019.02.007
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Solid-State Electronics
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Park Chan-Hyuck;Yako Motoki;Wada Kazumi;Ishikawa Yasuhiko;Ahn Donghwan
  • 通讯作者：
    Ahn Donghwan
Reduction of threading dislocations by image force in Ge selective epilayers on Si
通过镜像力减少 Si 上 Ge 选择性外延层中的穿透位错
  • DOI：
    10.1117/12.2501081
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Proceedings of SPIE Photonics Asia
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yako Motoki;Ishikawa Yasuhiko;Abe Eiji;Wada Kazumi
  • 通讯作者：
    Wada Kazumi

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  • 作者：
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  • 通讯作者：
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Formation of silicon/germanium photonics platform using bulk silicon wafers
使用体硅晶圆形成硅/锗光子平台
  • 批准号：
    16H03880
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似国自然基金

Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
  • 批准号：
    10774081
  • 批准年份：
    2007
  • 资助金额：
    45.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目

相似海外基金

Development of novel AlN crystal growth method using Al vapor generated from heated Ga-Al soluiton
利用加热的 Ga-Al 溶液产生的 Al 蒸气开发新型 AlN 晶体生长方法
  • 批准号：
    17K19067
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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用于电导率控制的 ZnMgTe 外延层的电子和原子结构研究
  • 批准号：
    17K06354
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on the preparation of epitaxial thin films of rare earth-transition metal ordered alloys
稀土-过渡金属有序合金外延薄膜的制备研究
  • 批准号：
    17K14660
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Reduction of contact resistance and demonstration of nitrogen-polar AlN field-effect transistors
降低接触电阻并演示氮极性AlN场效应晶体管
  • 批准号：
    17K14110
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
High brightness yellow and red LEDs with p-side down structure by using polarization-induced tunneling junction
采用偏振诱导隧道结的 p 侧向下结构的高亮度黄色和红色 LED
  • 批准号：
    16K17533
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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