Approach from crystal growth to overcome limits of Si integrated circuits

克服硅集成电路极限的晶体生长方法

• 批准号: 22360131
• 负责人: NARITSUKA Shigeya
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360131/
• 关键词: 電気・電子材料; MBEエピタキシャル; 窒化ガリウム; 格子欠陥; 低角入射マイクロチャンネルエピタキシー; 有機金属分子線成長; 選択成長; グラフェンマスク; MBE、エピタキシャル; 結晶成長; 電子デバイス・機器; 超高速情報処理; シリコン; 集積回路; MBE,エピタキシャル; 高速情報処理; 電気・電子材料; MBEエピタキシャル; 窒化ガリウム; 格子欠陥; 低角入射マイクロチャンネルエピタキシー; 有機金属分子線成長; 選択成長; グラフェンマスク; MBE、エピタキシャル; 結晶成長; 電子デバイス・機器; 超高速情報処理; シリコン; 集積回路; MBE,エピタキシャル; 高速情報処理

In order to fabricate III-V channel MOSFET or GaN-based LED on Si substrates, low-angle incidence microchannel epitaxy (LAIMCE) was investigated. LAIMCE is useful to greatly reduce dislocations in the laterally grown areas using molecular beam epitaxy. A lateral growth of a-plane GaN more than 4um-wide was successfully grown by metal-organic molecular beam epitaxy using LAIMCE. No dislocation or defect was observed in the laterally grown area by TEM though a large number of dislocations, as large as 10 to the 10th power per square cm, exists in the GaN template substrate. Mask materials for selective growth or other important fundamental technologies for LAIMCE were also investigated.

为了在SI底物上制造IIII-V通道MOSFET或基于GAN的LED，研究了低角度的微通道外观（LAIMCE）。 Laimce可用于大大减少使用分子束外延的横向生长区域中的位错。使用LAIMCE成功生长了金属有机分子束的横向生长超过4Um宽的4UM宽。在GAN模板底物中存在大量位错数量，在横向生长的区域中未观察到横向生长的区域的位错或缺陷，而每平方cm的第10倍至10次功率。还研究了用于选择性增长或其他重要基本技术的掩模材料。