Approach from crystal growth to overcome limits of Si integrated circuits

克服硅集成电路极限的晶体生长方法

• 批准号: 22360131
• 负责人: NARITSUKA Shigeya
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360131/
• 关键词: 電気・電子材料; MBEエピタキシャル; 窒化ガリウム; 格子欠陥; 低角入射マイクロチャンネルエピタキシー; 有機金属分子線成長; 選択成長; グラフェンマスク; MBE、エピタキシャル; 結晶成長; 電子デバイス・機器; 超高速情報処理; シリコン; 集積回路; MBE,エピタキシャル; 高速情報処理

In order to fabricate III-V channel MOSFET or GaN-based LED on Si substrates, low-angle incidence microchannel epitaxy (LAIMCE) was investigated. LAIMCE is useful to greatly reduce dislocations in the laterally grown areas using molecular beam epitaxy. A lateral growth of a-plane GaN more than 4um-wide was successfully grown by metal-organic molecular beam epitaxy using LAIMCE. No dislocation or defect was observed in the laterally grown area by TEM though a large number of dislocations, as large as 10 to the 10th power per square cm, exists in the GaN template substrate. Mask materials for selective growth or other important fundamental technologies for LAIMCE were also investigated.

为了在 Si 衬底上制造 III-V 沟道 MOSFET 或 GaN 基 LED，研究了低角度入射微沟道外延 (LAIMCE)。 LAIMCE 可用于使用分子束外延大幅减少横向生长区域的位错。使用LAIMCE通过金属有机分子束外延成功生长了宽度超过4um的a面GaN。尽管GaN模板衬底中存在大量位错，每平方厘米有10的10次方，但通过TEM没有观察到横向生长区域的位错或缺陷。还研究了用于选择性生长的掩模材料或LAIMCE的其他重要基础技术。

项目成果

c-plane GaN selective growth by liquid phase electroepitaxy under atmospheric pressure

常压液相电外延c面GaN选择性生长

• 发表时间: 2013
• 作者: Shigeya Naritsuka;Daisuke Kambayashi;Hiroyuki Takakura;Masafumi Tomita;Takahiro Maruyama
• 通讯作者: Takahiro Maruyama

Comparative study of selective growth of GaAs on Ti, SiO2, and graphene masks by molecular beam epitaxy

分子束外延在 Ti、SiO2 和石墨烯掩模上选择性生长 GaAs 的比较研究

• 发表时间: 2013
• 作者: H. Iha;Y. Hirota;Y. Shirai;T. Iwatsuki;H. Kato;N. Yamamoto;S. Naritsuka and T. Maruyama
• 通讯作者: S. Naritsuka and T. Maruyama

低降温速度GaAsマイクロチャンネルエピタキシーにおける異常成長の検討

低冷速率GaAs微通道外延异常生长研究

• 发表时间: 2012
• 作者: 菱田武重;杉浦高志;河村知洋;神林大介;成塚重弥;丸山隆浩
• 通讯作者: 丸山隆浩

Raman Characterrization of patterned graphene directly synthesized by alcohol chemical vapor deposition

醇化学气相沉积直接合成图案化石墨烯的拉曼表征

• 发表时间: 2012
• 作者: M. Nakano;K. Motomura;T. Yanai;and H. Fukunaga;菱田武重;浦川大輔;内山翔太;本村浩介;神林大介;白井優也;Y. Kito
• 通讯作者: Y. Kito

RF ラジカル源を用いたGaN横方向成長におけるGa源としての金属GaおよびTMGの比較

使用 RF 自由基源横向生长 GaN 时金属 Ga 和 TMG 作为 Ga 源的比较

• 发表时间: 2012
• 作者: M. Nakano;S. Oshima;T. Yanai and H. Fukunaga;岩月剛徳
• 通讯作者: 岩月剛徳