Development of InN semiconductors for application of thermoelectric conversion devices

开发用于热电转换器件的InN半导体

基本信息

  • 批准号：
    16H03860
  • 负责人：
    Araki Tsutomu
  • 金额：
    $ 10.73万
  • 依托单位：
    Ritsumeikan University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Characterization of Electrical Properties of InN Epilayer using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry
使用太赫兹时域光谱椭圆光度法表征 InN 外延层的电性能
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Morino;T. Fujii;S. Mouri;T. Araki;and Y. Nanishi
  • 通讯作者：
    and Y. Nanishi
Van der Waals Epitaxy of Nitride Semiconductors Towards Energy Conversion Devices
氮化物半导体的范德华外延技术用于能量转换器件
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Mouri;Y. Miyauchi;K. Matsuda;Y. Nanishi;T. Araki
  • 通讯作者：
    T. Araki
N ラジカルビーム照射によるin-situ 表面改質のInN 成長への効果
N自由基束辐照原位表面改性对InN生长的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    J. Hwang;Y. Ando;S. Watanabe;藤田諒一,F. Abas,片桐温,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
  • 通讯作者：
    藤田諒一,F. Abas,片桐温,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
Recent Progress and Challenges of InN and In-rich InGaN by RF-MBE using DERI Process
使用 DERI 工艺通过 RF-MBE 制备 InN 和富 InGaN 的最新进展和挑战
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Nanishi;T. Yamaguchi; S. Mouri;T. Araki;T. Sasaki;M. Takahashi
  • 通讯作者：
    M. Takahashi
TEM Study of InN Films Grown with In-situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation
自由基束辐照原位表面改性生长 InN 薄膜的 TEM 研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    荒川真吾;久保中湧士;毛利真一郎;荒木努;名西やす之;森野 健太，達 紘平，藤井 高志，毛利 真一郎，荒木 努，名西 やす之，長島 健，岩本 敏志，佐藤 幸徳;久保中 湧士，毛利真一郎，荒木 努，名西 やす之;Faizulsalihin bin Abas，Nur Liyana binti Zainol Abidin，藤田 諒一，毛利 真一郎，荒木 努，名西 やす之
  • 通讯作者：
    Faizulsalihin bin Abas，Nur Liyana binti Zainol Abidin，藤田 諒一，毛利 真一郎，荒木 努，名西 やす之
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Araki Tsutomu其他文献

Effects of advanced glycation end products on dental pulp calcification
晚期糖基化终末产物对牙髓钙化的影响
  • DOI：
    10.1111/odi.13792
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Oral Diseases
  • 影响因子：
    3.8
  • 作者：
    Sugiyama Keita;Miura Jiro;Shimizu Masato;Takashima Aoi;Matsuda Yusuke;Kayashima Hiroki;Okamoto Motoki;Nagashima Tadashi;Araki Tsutomu
  • 通讯作者：
    Araki Tsutomu
Glycation promotes pulp calcification in Type 2 diabetes rat model
糖化促进2型糖尿病大鼠模型的牙髓钙化
  • DOI：
    10.1111/odi.14529
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
    Oral Diseases
  • 影响因子：
    3.8
  • 作者：
    Takashima Aoi;Miura Jiro;Sugiyama Keita;Shimizu Masato;Okada Misa;Otani Tomohiro;Nagashima Tadashi;Tsuda Tetsuya;Araki Tsutomu
  • 通讯作者：
    Araki Tsutomu
Band-gap engineering of rutile-structured SnO2-GeO2-SiO2 alloy system
金红石结构SnO2-GeO2-SiO2合金体系的带隙工程
  • DOI：
    10.1103/physrevmaterials.6.084604
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Physical Review Materials
  • 影响因子：
    3.4
  • 作者：
    Takane Hitoshi;Ota Yuichi;Wakamatsu Takeru;Araki Tsutomu;Tanaka Katsuhisa;Kaneko Kentaro
  • 通讯作者：
    Kaneko Kentaro
「歯」は如何にして歳をとるのか？
牙齿如何老化？
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    大阪大学超高圧電子顕微鏡センター年報
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sugiyama Keita;Miura Jiro;Shimizu Masato;Takashima Aoi;Matsuda Yusuke;Kayashima Hiroki;Okamoto Motoki;Nagashima Tadashi;Araki Tsutomu;三浦治郎　清水真人　松田祐輔
  • 通讯作者：
    三浦治郎　清水真人　松田祐輔
Distribution of Advanced glycation end-products in human dentin measured by fluorescence lifetime imaging．
通过荧光寿命成像测量人类牙本质中晚期糖基化终产物的分布。
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nishikawa Kantaro;Fukushima Shuichiro;Araki Tsutomu;Kubo Mizuho;Miura Jiro;Takeshige Fumio：
  • 通讯作者：
    Takeshige Fumio：

Araki Tsutomu的其他文献

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III-V族半导体量子点网络结构的创建及其在量子器件中的应用
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  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 10.73万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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