Development of the monolithic AlGaN deep ultraviolet sensing system on a Si substrate

Si 衬底上单片 AlGaN 深紫外传感系统的开发

• 批准号: 15H03998
• 负责人: IWATA NAOTAKA
• 金额: $ 10.73万
• 依托单位: Toyota Technological Institute
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03998/
• 关键词: 窒化物半導体; 結晶成長; 結晶欠陥; 深紫外; センサー; ダイオード; トランジスタ; 格子欠陥; デバイス; エピタキシャル; 先端機能デバイス; オーミック電極; 保護膜

项目成果

プラズマ励起原子層堆積プラズマ励起原子層堆積保護膜によるAlGaN/GaN HEMTの表面安定化

等离子体增强原子层沉积 使用等离子体增强原子层沉积保护膜稳定 AlGaN/GaN HEMT 的表面

• 发表时间: 2016
• 作者: 鈴木貴之; 山田富明; 河合亮輔; 川口翔平; 張東岩; 岩田直高
• 通讯作者: 岩田直高

選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響

选择性干法刻蚀对p型GaN栅极AlGaN/GaNGaNGaN高电子迁移率晶体管特性的影响

• 发表时间: 2018
• 作者: 近藤孝明;赤澤良彦;岩田直高
• 通讯作者: 岩田直高

Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices

激光诱导局部激活镁掺杂氮化镓，具有高横向分辨率，适用于高功率垂直器件

• DOI: 10.1063/1.5009970
• 发表时间: 2018
• 期刊: AIP Advances
• 影响因子: 1.6
• 作者: Noriko Kurose;Kota Matsumoto;Fumihiko Yamada;Teuku Muhammad Roffi;Itaru Kamiya;Naotaka Iwata;and Yoshinobu Aoyagi
• 通讯作者: and Yoshinobu Aoyagi

InGaAs Triangular Barrier Photodiodes for High-Responsivity Detection of Near-Infrared Light

用于近红外光高响应度检测的 InGaAs 三角形势垒光电二极管

• DOI: 10.7567/apex.9.062101
• 发表时间: 2016
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: Kazuya Sugimura;Masato Ohmor;Takeshi Noda;Tomoya Kojima;Sakunari Kado;Pavel Vitushinskiy;Naotaka Iwata;and Hiroyuki Sakaki
• 通讯作者: and Hiroyuki Sakaki