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Precise position control of silicon quantum dots and fabrication of quantum information devices.
硅量子点的精确位置控制和量子信息器件的制造。
基本信息
- 批准号：22246040
- 负责人：
- 金额：$ 31.2万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We have fabricated silicon-based quantum dot devices by the combination of bottom-up and top-down technologies and studied for the application of quantum information devices. It has been clarified that a piezo-valve, raicalnitridation, and dip-coating methods are effective for controlling the size, the surface oxide layer, and integration of silicon nanocrystals, respectively. We have also fabricated a nanoscale devices integrated by coupled-quantum-dots and a charge sensor single-electron-transistor, and successfully controlled the number of a few electrons in the quantum dots.
我们通过自下而上和自上而下的技术组合制造了基于硅的量子点设备，并研究了用于应用量子信息设备的。已经澄清的是，分别有效地控制了硅纳米晶体的大小，表面氧化物层和整合。我们还制造了由耦合 - 量词点和电荷传感器单电子传输器集成的纳米级设备，并成功控制了量子点中几个电子的数量。
项目成果
期刊论文数量（134）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ナノシリコンの最新技術と応用展開
纳米硅最新技术及应用发展
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Sosuke Yamauchi;Sotaro Shimada;宇田川 幸則;高橋 庸夫
- 通讯作者：高橋 庸夫
A Multi-Purpose Electrostatically Defined Silicon Quantum Dot Structure
- DOI：10.1143/jjap.51.02bj10
- 发表时间：2011-09
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：M. A. Sulthoni;T. Kodera;Y. Kawano;S. Oda
- 通讯作者：M. A. Sulthoni;T. Kodera;Y. Kawano;S. Oda
charge sensing of a Si triple quantum dot system using single electron transistors
使用单电子晶体管的硅三量子点系统的电荷传感
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ko Yamada;Tetsuo Kodera;Tomohiro Kambara;Yukio Kawano and Shunri Oda
- 通讯作者：Yukio Kawano and Shunri Oda
Key capacitive parameters for designing single-electron transistor charge sensors
- DOI：10.1063/1.4711094
- 发表时间：2012-05
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：K. Horibe;T. Kodera;T. Kambara;K. Uchida;S. Oda
- 通讯作者：K. Horibe;T. Kodera;T. Kambara;K. Uchida;S. Oda
神岡 純
神冈纯
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shingo Harada;Hiroshi Fujimoto;MOS構造gateを有するSi/SiGe量子ドットデバイスの作製
- 通讯作者：MOS構造gateを有するSi/SiGe量子ドットデバイスの作製
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$ 31.2万 - 项目类别：
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