Precise position control of silicon quantum dots and fabrication of quantum information devices.

硅量子点的精确位置控制和量子信息器件的制造。

• 批准号: 22246040
• 负责人: ODA Shunri
• 金额: $ 31.2万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22246040/
• 关键词: 薄膜; 量子構造; シリコン量子ドット; ナノ結晶配列制御; 量子情報デバイス; 少数電荷センサ; スピン制御量子ビット; ナノ結晶シリコン集積化; 単電子デバイス; レーザアニーリング; 2重結合量子ドット

We have fabricated silicon-based quantum dot devices by the combination of bottom-up and top-down technologies and studied for the application of quantum information devices. It has been clarified that a piezo-valve, raicalnitridation, and dip-coating methods are effective for controlling the size, the surface oxide layer, and integration of silicon nanocrystals, respectively. We have also fabricated a nanoscale devices integrated by coupled-quantum-dots and a charge sensor single-electron-transistor, and successfully controlled the number of a few electrons in the quantum dots.

我们采用自下而上和自上而下相结合的技术制备了硅基量子点器件，并研究了量子信息器件的应用。已经阐明压电阀、自由基氮化和浸涂方法分别对于控制硅纳米晶体的尺寸、表面氧化层和集成是有效的。我们还制备了耦合量子点和电荷传感器单电子晶体管集成的纳米级器件，并成功控制了量子点中的电子数量。

项目成果

ナノシリコンの最新技術と応用展開

纳米硅最新技术及应用发展

• 发表时间: 2010
• 作者: Sosuke Yamauchi;Sotaro Shimada;宇田川 幸則;高橋 庸夫
• 通讯作者: 高橋 庸夫

A Multi-Purpose Electrostatically Defined Silicon Quantum Dot Structure

• DOI: 10.1143/jjap.51.02bj10
• 发表时间: 2011-09
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: M. A. Sulthoni;T. Kodera;Y. Kawano;S. Oda

charge sensing of a Si triple quantum dot system using single electron transistors

使用单电子晶体管的硅三量子点系统的电荷传感

• 发表时间: 2013
• 作者: Ko Yamada;Tetsuo Kodera;Tomohiro Kambara;Yukio Kawano and Shunri Oda
• 通讯作者: Yukio Kawano and Shunri Oda

Key capacitive parameters for designing single-electron transistor charge sensors

• DOI: 10.1063/1.4711094
• 发表时间: 2012-05
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: K. Horibe;T. Kodera;T. Kambara;K. Uchida;S. Oda

Si量子ドットを用いた単電子トランジスタの研究

利用硅量子点的单电子晶体管研究

• 发表时间: 2011
• 作者: Noriyuki Yasufuku;Quiang Liu;Zentaro Furukawa;小田俊理
• 通讯作者: 小田俊理