Integrated Assembly of NeoSilicon towards Quantum Information Devices
NeoSilicon 面向量子信息器件的集成组装
基本信息
- 批准号：19206035
- 负责人：
- 金额：$ 31.37万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Integrated assembly of NeoSilicon materials has been investigated. Nano Si ink has been prepared using optimized surface modification of Si nanocrystals and two dimensional arrays of NeoSilicon have been realized. Electron transport characteristics have been measured from multiple coupled quantum dot devices based on Electron beam lithography of silicon-on insulator substrates.
已经研究了新硅材料的综合组装。纳米Si墨水已经使用了优化的Si纳米晶体的表面修饰制备，并且已经实现了新硅的二维阵列。电子传输特性已根据基于硅 - 启用绝缘子底物的电子束光刻的多个耦合量子点设备进行了测量。
项目成果
期刊论文数量（130）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
DFT simulation of dynamic charge states in doubles silicon quantumdots
双硅量子点动态电荷态的 DFT 模拟
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Higashijima;S. Sawai;Y. Tsuchiya;M. Okamoto;H. Mizuta;and S. Oda
- 通讯作者：and S. Oda
Novel photonic and electron devices based on silicon nanocrystals
基于硅纳米晶体的新型光子和电子器件
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Murakami;T.Arakawa;S.Nomura;Y.Yamaguchi;S.Shoji;S. Oda
- 通讯作者：S. Oda
ダンピングを考慮したNEMSメモリの過渡応答特性の解析
考虑阻尼的NEMS存储器瞬态响应特性分析
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：永見 佑;松田真之介;土屋良重;斎藤慎一;新井 唯;嶋田壽一;水田 博;小田俊理
- 通讯作者：小田俊理
2方向エッチングによるシリコン3次元フォトニック結晶の作製とフォトニックバンドギャップ効果
二维刻蚀和光子带隙效应制备三维硅光子晶体
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：筆宝大平;土屋良重;水田 博;浦川 圭;越田信義;小田俊理
- 通讯作者：小田俊理
Control of electrostatic coupling observed for Si double quantum dot structures
硅双量子点结构观察到的静电耦合控制
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：G. Yamahata;Y. Tsuchiya;S. Oda and H. Mizuta
- 通讯作者：S. Oda and H. Mizuta
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
ODA Shunri其他文献
ODA Shunri的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('ODA Shunri', 18)}}的其他基金
Fabrication of Nanoscale Devices and Circuits using DNA Origami Technology
使用 DNA 折纸技术制造纳米级器件和电路
- 批准号：
24656201 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Precise position control of silicon quantum dots and fabrication of quantum information devices.
硅量子点的精确位置控制和量子信息器件的制造。
- 批准号：
22246040 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Self-assembled integration technologies of silicon quantum dots toward future NeoSilicon quantum information devices
面向未来NeoSilicon量子信息器件的硅量子点自组装集成技术
- 批准号：
16206030 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Atomic scale control of high-k dielectric ultrathin film grown by atomic layer-by-layer MOCVD with using in situ spectroscopic ellipsometry monitoring
利用原位光谱椭偏监测对原子逐层 MOCVD 生长的高 k 介电超薄膜进行原子尺度控制
- 批准号：
14350160 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Single Electron Devices Based on NeoSilicon Materials
基于新硅材料的单电子器件
- 批准号：
11355014 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Control of Particle Size and Position of Nano-crystalline Silicon
纳米晶硅颗粒尺寸和位置的控制
- 批准号：
11450008 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
STUDY OF ULTRA-THIN-FILM/ULTRA-FINE-STRUCTURE DEVICES
超薄膜/超细结构器件的研究
- 批准号：
10044138 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A).
Fabnication of Superconductor/Insulator/Superconductor Trilayer Tunnel Junction Devices by Atomic Layer MOCVD
原子层MOCVD制备超导/绝缘体/超导三层隧道结器件
- 批准号：
08555004 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
STUDY OF ULTRA-THIN-FILM/ULTRA-FINE-STRUCTURE DEVEICES
超薄膜/超细结构器件的研究
- 批准号：
08044134 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for international Scientific Research
Study of Ultra-Thin-Film/Ultra-Fine-Structure Devices
超薄膜/超微细结构器件的研究
- 批准号：
06044076 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for international Scientific Research