雑音を用いた金属-GaAs界面近傍の欠陥の測定

使用噪声测量金属-GaAs 界面附近的缺陷

基本信息

批准号：
06650036
负责人：
鈴木哲
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06650036/
关键词：
雑音 GaAs 界面欠陥

项目摘要

本研究では、金属-GaAs界面近傍の欠陥を感度良く測定するために、先ず直径0.3μmのショットキ・ダイオードの製作プロセスの改善を行い、次に、深い準位をもつ金を不純物としてGaAs表面に拡散させたダイオードの雑音の測定を試みた。1 従来用いていた電子ビームレジストは、耐ドライエッチ性が十分でないだけでなく、材料にフッ素を含んでいるため、試料表面にポリマーが堆積しやすく、ドライエッチング後のプロセスの不安定性の原因となっていた。このポリマーは、ドライエッチング、表面クリーニング、エピ層陽極酸化-エッチング、ショットキ電極メッキ等の工程で影響を与え、均一性の良いダイオード製作の妨げになっていた。そのため、ダイオードの雑音特性を測定する際、データーの再現性を得ることが困難であった。2 今回新たにノボラック系の電子ビームレジストの供給(試作品)を受け、耐ドライエッチ性が飛躍的に向上していること、ポリマーの堆積も少なくポリマーが酸素プラズマやオゾン等を使用せずともほぼ除去できること、が明らかになり、均一性の良いダイオードを製作できるようになった。3 雑音と金属-GaAs界面近傍の欠陥との関係を定量的に明らかにするため、不純物として金をGaAs表面に拡散させたダイオードを製作した。先ず、温度500度C、1時間の条件で拡散させた場合についてダイオードの雑音特性を測定したが、現在のところ、拡散した金による明らかな雑音特性の変化は観測されていない。今後、拡散の条件を変えたり、不純物としてインジュームを用いた場合について、雑音特性の変化を求め、雑音と欠陥の関係を定量的に明らかにする予定である。

在这项研究中，为了敏感地测量金属 - 气体界面附近的缺陷，直径为0.3μm的镜头的生产过程为0.3μm，然后深层金是不杂质的。传播二极管的传播。 1过去使用的电子束抗，不仅具有足够的干蚀刻，而且在材料中含有氟，因此聚合物倾向于在样品表面积聚，从而导致干质质地后的过程不稳定。是。该聚合物受干蚀刻，表面清洁，流行氧化 - 蚀刻蚀刻和镜头电镀的影响，阻碍了均匀的二极管产生。因此，在测量二极管的噪声特性时，很难获得数据可重复性。 2这一次，接收新的电子束抗（原型），诺瓦克（Novolak）已大大改善了干燥的蚀刻，并且聚合物的沉积较少，并且聚合物不使用氧气等离子体或臭氧。并且已经有可能产生均匀的二极管。 3。为了定量阐明噪声与金属-GAAS界面之间的关系，将金作为杂质在GAAS表面传播的二极管。首先，在500摄氏度的温度下测量了二极管的温度，并且在一个小时的条件下散布了该案例，但目前尚未观察到由于金的传播而引起的透明噪声特征。将来，当扩散条件变化或不变作为杂质时，噪声与缺陷之间的关系将通过寻求噪声特征的变化来定量清除。