金属ーGaAsショットキ界面の欠陥と雑音に関する研究

金属-砷化镓肖特基界面缺陷与噪声研究

基本信息

批准号：
02232204
负责人：
鈴木哲
金额：
$ 0.77万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02232204/
关键词：
雑音金属一半導体界面活性化エネルギ-欠陥

项目摘要

金属ーGaAs界面近傍の欠陥を測定するために、試料温度を変化させながら雑音の測定を行なった。その結果、リアクティブイオンエッチング(RIE)により損傷欠陥が導入された試料の雑音には、100MHz付近に顕著な雑音の温度依存性があり、欠陥準位が熱励起されることに起因するものが含まれていることが分かった。この雑音スペクトラムが再結合雑音と同じスペクトラムを持つと見なして、欠陥の活性化エネルギ-等を求めることが出来ると考えられる。現在までの結果では、欠陥準位が伝導帯中に存在しているかのようなデ-タ-となっている。この原因については、界面に極めて近いところの欠陥による雑音の影響が大きく、比較的深い部分の欠陥の効果を隠しているためと考えられる。そのため、デ-タ-の処理方法の検討を、現在行なっている。次に、欠陥と雑音の関係について理論的検討を行なった。モデルとして、トンネリングによるトラップの電子捕獲/放出速度を計算する方法を用いた。これらの結果によれば、界面近傍に欠陥が存在する場合には試料の温度を下げるに従い、雑音が増加することや雑音のスペクトラムの傾向等が実験結果と一致することが分かった。また、測定した雑音の絶対値と計算値を比較して欠陥密度を見積もると、10^<20>cm^<ー3>eV^<ー1>オ-ダ-となり、nーGaAs表面に不活性化膜を堆積した場合の界面準位密度の報告例(10^<11>〜10^<14>cm^<ー2>eV^<ー1>)と一致することが分かった。

为了测量金属-GAA界面附近的缺陷，在更改样品温度时测量了噪声。结果，由反应性离子蚀刻（RIE）引入的样品的噪声在100 MHz附近具有显着的噪声温度依赖性，并且热剂量是由热激发引起的。据认为，该噪声频谱具有与对帐噪声相同的频谱，可用于缺陷的激活能。到目前为止，结果是DA，好像导体中存在缺陷级别一样。此原因可能是因为由于缺陷引起的噪声的影响非常接近界面，并且隐藏了相对深的部分的效果。因此，我们目前正在研究演示的处理方法。接下来，对缺陷和噪声之间的关系进行了理论研究。作为模型，我使用了一种通过隧道来计算陷阱的电子捕获/释放速度的方法。根据这些结果，如果界面附近存在缺陷，则噪声的增加和噪声谱的趋势与实验结果相匹配。另外，如果通过比较测量噪声的绝对值和计算值来估计有缺陷的密度，则将为10^<20> cm^<-3> ev^<-1> O-1> O-1> O-1 >。