金属-GaAsショットキ界面の欠陥と雑音に関する研究

金属-砷化镓肖特基界面缺陷与噪声研究

基本信息

批准号：
01650505
负责人：
鈴木哲
金额：
$ 0.7万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-01650505/
关键词：
ショットキ・ダイオ-ド欠陥界面近傍雑音温度特性

项目摘要

本研究、金属-半導体界面近傍の欠陥に敏感な雑音の測定を用いて、素の欠陥のエネルギ-準位等を測定しようとするものである。本年度は、先ず、試料温度を変化されながら雑音を測定するためのクライオスタットの製作を行なった。本クライオスタットは、100K〜500Kの範囲で温度を変えることができ、また、試料であるSBDにプロ-ブを接触させるためのマニピュレ-タ-、雑音信号が増幅するための増幅器を備えている。本測定系をもちいて、直系1μmのショットキ・ダイオ-ドの測定を行なった。微細なパタ-ンを形成する際にはドライエッチング法が一般的に用いられているが、このときGaAs表面に損傷が発生することが分かっている。本研究では、先ず、損傷が存在しているダイオ-ドの測定を行なった。その結果、低温にするに従い、雑音が増加することが明らかになった。一方、このドライエッチングによる損傷を十分に除去したダイオ-ドでは、ダイオ-ドインピ-ダンスの温度特性を考慮すると、逆に雑音がわずかに低下する傾向であることが分かった。これらのデ-タ-については、現在検討中であるが、予備的な解析として、一次微分をとると、損傷の残っている試料では、120、170、210K付近にピ-クが見られ、このピ-クが、損傷による欠陥と対応しているものと考えられる。年々微細化されているLSIにおいても、低温で雑音が増加する現象が認められているが、その原因はまだ明らかにされていない。本研究の結果はその一因を示唆しているものと考えられる。本研究の測定では、雑音と温度の関係に興味ある結果が得られているが、今後、デ-タ-の解析法についても検討を行なっていく予定である。

这项研究旨在使用噪声敏感的测量值来测量能级和基本缺陷的类似，以在金属 - 触发器界面附近的缺陷。今年，我们首先制作了一个低温恒温器，以测量更改样品温度的噪声。低温恒温器可以在100K至500K的范围内改变温度，并配备了操纵器，用于与SBD接触探针，该探针是样品，以及用于放大噪声信号的放大器。使用此测量系统，测量了直接的1μmSchottky二极管。干燥蚀刻通常是在形成精细图案时使用的，并且发现此时损伤发生在GAA的表面上。在这项研究中，首先测量了存在损坏的二极管。结果，发现随着温度降低，噪声会增加。另一方面，发现，如果二极管从干蚀刻完全消除，则在考虑二极管瑕疵的温度特征时，噪声往往会略微降低。这些数据目前正在考虑，但是作为初步分析，如果我们采用第一个衍生物，我们可以在剩余损坏的标本中看到图片左右，大约120、170和210K，并且认为此选件对应于损坏造成的缺陷。即使在LSI中，每年都变得越来越小的LSI，也观察到在低温下噪声增加的现象，但尚未澄清原因。这项研究的结果被认为提出了一个原因。这项研究中的测量结果在噪声和温度之间的关系中产生了有趣的结果，但是我们计划考虑一种将来分析数据的方法。