Development of solar cells with high stability at elevated temperatures

开发高温下具有高稳定性的太阳能电池

• 批准号: 23360163
• 负责人: HORIKOSHI Yoshiji
• 金额: $ 12.73万
• 依托单位: Waseda University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23360163/
• 关键词: 太陽電池; 温度安定性; 励起子吸収効果; 分子線エピタキシー; 超格子太陽電池; AlGaAs/GaAs超格子; Si/SiO2超格子; スパッタリング; 超格子; タンデム太陽電池; 励起子吸収; AlGaAs/GaAs; 解放電圧; Si/SiO2; 半導体; 薄膜・量子構造; 作成・評価技術; 表面; 界面; エピタキシャル成長; 結晶評価; ヘテロ構造

项目成果

Growth and characterization of C60/GaAs interfaces and C60 doped GaAs

C60/GaAs 界面和 C60 掺杂 GaAs 的生长和表征

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.068
• 发表时间: 2011
• 期刊: J.Cryst.Growth
• 作者: J.Nishinaga;Y.Horikoshi
• 通讯作者: Y.Horikoshi

Molecular Beam Epitaxy

分子束外延

• DOI: 10.1016/b978-0-12-387839-7.00007-5
• 发表时间: 2013
• 作者: Batool Z

CuInSe2/CuGaSe2超格子の吸収効率(17pC1-3)

CuInSe2/CuGaSe2超晶格(17pC1-3)的吸收效率

• 发表时间: 2012
• 作者: 河原塚篤;藤田実樹;堀越佳治
• 通讯作者: 堀越佳治

AlGaAs/GaAs太陽電池における表面再結合制御

AlGaAs/GaAs 太阳能电池的表面复合控制

• 发表时间: 2014
• 作者: 発表者;田中悠人;Masayuki Nakamoto and Jonghyun Moon;19.浦部宏之，倉本真，中野朋洋，河原塚篤，牧本俊樹，堀越佳治
• 通讯作者: 19.浦部宏之，倉本真，中野朋洋，河原塚篤，牧本俊樹，堀越佳治

Characteristics of CuGaSe2 layers grown on GaAs substrates

GaAs 衬底上生长的 CuGaSe2 层的特性

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.171
• 发表时间: 2013
• 期刊: J. Cryst. Growth
• 作者: M.Fujita;A. Kawaharazuka;and Y. Horikoshi
• 通讯作者: and Y. Horikoshi