Piezoelectric effects in GaN-based HEMTs and related devices and a new method
GaN基HEMT及相关器件中的压电效应及新方法
基本信息
- 批准号：26289095
- 负责人：
- 金额：$ 8.74万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Transport of Electrons in Self-assembled GaInAs Quantum Rod Structures
自组装 GaInAs 量子棒结构中的电子传输
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kojima;M. Ohmori;P. Vitushinskiy;H. Sakaki
- 通讯作者：H. Sakaki
GaSb/GaAs量子ドットの光学異方性における後熱処理の効果
后热处理对GaSb/GaAs量子点光学各向异性的影响
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Yamada;J. Ito;R. Asahara;K. Watanabe;M. Nozaki;S. Nakazawa;Y. Anda;M. Ishida;T. Ueda;A. Yoshigoe;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe;川津 琢也，野田武司，佐久間芳樹，榊 裕之
- 通讯作者：川津 琢也，野田武司，佐久間芳樹，榊 裕之
Electrical characteristics of AlGaAs/GaAs heterostructures with a pair of 2-D electron and hole channels
具有一对二维电子和空穴通道的 AlGaAs/GaAs 异质结构的电特性
- DOI：10.1109/ted.2015.2474735
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：3.1
- 作者：T. Kushida;M. Ohmori;S. Osanai;D. Kawamoto;T. Noda and H. Sakaki
- 通讯作者：T. Noda and H. Sakaki
Lateral current generation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels by Schottky-barrier gate illumination
通过肖特基势垒栅照明在 n-AlGaAs/GaAs 异质结通道中产生横向电流
- DOI：10.1063/1.4905661
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kawazu;T. Noda;Y. Sakuma;and H. Sakaki
- 通讯作者：and H. Sakaki
Growth and optical properties of GaSb/GaAs type-II quantum dots with and without wetting layer
- DOI：10.7567/jjap.54.04dh01
- 发表时间：2015-01
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：T. Kawazu;Takeshi Noda;T. Mano;Y. Sakuma;H. Sakaki
- 通讯作者：T. Kawazu;Takeshi Noda;T. Mano;Y. Sakuma;H. Sakaki
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