Memory devices using heterointerfaces of fullerene and GaAs
使用富勒烯和砷化镓异质界面的存储器件
基本信息
- 批准号:25420299
- 负责人:
- 金额:$ 3.33万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
C60 doped GaAsダイオードの容量電圧特性
C60掺杂GaAs二极管的电容-电压特性
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Nobuyuki Iwata;Keisuke Oshima;Yuta Watabe;Takaaki Inaba;Chun Wang;Huaping Song;Qi Chang;Tomoko Nagata;Takuya Hashimoto;Kouichi Takase;Hiroshi Ishida;Kousaku Shimizu;Hiroshi Yamamoto;西永慈郎
- 通讯作者:西永慈郎
Recombination current in AlGaAs/GaAs superlattice solar-cells grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长的 AlGaAs/GaAs 超晶格太阳能电池的复合电流
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2015.03.047
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:A. Kawaharazuka;J. Nishinaga;Y. Horikoshi
- 通讯作者:Y. Horikoshi
Crystalline and electrical properties of fullerene doped GaAs pin diodes
富勒烯掺杂 GaAs pin 二极管的晶体和电学特性
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Nobuyuki Iwata;Keisuke Oshima;Yuta Watabe;Takaaki Inaba;Chun Wang;Huaping Song;Qi Chang;Tomoko Nagata;Takuya Hashimoto;Kouichi Takase;Hiroshi Ishida;Kousaku Shimizu;Hiroshi Yamamoto;西永慈郎;松本直也,品川勉,池田慎吾,小林靖之,松原治,藤田直幸;J. Nishinaga
- 通讯作者:J. Nishinaga
Influence on carrier recombination of Cu(In,Ga)Se2 solar cells induced by device processing
器件加工对Cu(In,Ga)Se2太阳能电池载流子复合的影响
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:熊岡 賢祐;加藤 剛;三宅 弘晃;田中 康寛;J. Nishinaga
- 通讯作者:J. Nishinaga
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Nishinaga Jiro其他文献
Effects of alkali-metal incorporation into epitaxial Cu(In,Ga)Se2 solar cells prepared by molecular beam epitaxy
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- 影响因子:0
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- 影响因子:1.5
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GaAs (001) 衬底上外延 Cu(In,Ga)Se2 层的晶体特性
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2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nishinaga Jiro;Sugaya Takeyoshi - 通讯作者:
Sugaya Takeyoshi
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