Photogalvanic effects in semiconductor quantum structure

半导体量子结构中的光电效应

基本信息

批准号：
26420288
负责人：
Kawazu Takuya
金额：
$ 3.24万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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NIMSの研究者用データベース「SAMURAI」

NIMS研究员数据库“SAMURAI”

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Excitation power dependence of photoluminescence spectra of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy

液滴外延生长的 GaAs 中 GaSb II 型量子点的光致发光光谱的激发功率依赖性

DOI：
10.1063/1.4947464
发表时间：
2016
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
T. Kawazu;T. Noda;Y. Sakuma and H. Sakaki
通讯作者：
Y. Sakuma and H. Sakaki

ショットキバリアゲート光照射によるn-AlGaAs/GaAs(001) ヘテロ接合チャネルの面内電流生成

肖特基势垒栅光照射在 n-AlGaAs/GaAs(001) 异质结沟道中产生面内电流

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
川津琢也;野田武司;佐久間芳樹;榊裕之
通讯作者：
榊裕之

Lateral current generation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels by Schottky-barrier gate illumination

通过肖特基势垒栅照明在 n-AlGaAs/GaAs 异质结通道中产生横向电流

DOI：
10.1063/1.4905661
发表时间：
2015
期刊：
Appl. Phys. Lett.
影响因子：
0
作者：
T. Kawazu;T. Noda;Y. Sakuma;and H. Sakaki
通讯作者：
and H. Sakaki

Growth and optical properties of GaSb/GaAs type-II quantum dots with and without wetting layer

DOI：
10.7567/jjap.54.04dh01
发表时间：
2015-01
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
T. Kawazu;Takeshi Noda;T. Mano;Y. Sakuma;H. Sakaki
通讯作者：
T. Kawazu;Takeshi Noda;T. Mano;Y. Sakuma;H. Sakaki

DOI：
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作者：
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Kawazu Takuya其他文献

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DOI：
发表时间：
2021
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0
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Hainey Mel F.;Mano Takaaki;Kasaya Takeshi;Ochiai Tetsuyuki;Osato Hirotaka;Watanabe Kazuhiro;Sugimoto Yoshimasa;Kawazu Takuya;Arai Yukinaga;Shigetou Akitsu;Miyazaki Hideki T.;今村陸，長島圭吾，藤井瞬，熊﨑基，田邉孝;中島綾太，藤井瞬，今村陸，長島圭吾，田邉孝純
通讯作者：
中島綾太，藤井瞬，今村陸，長島圭吾，田邉孝純

マイクロ周波数コム応用へ向けた超精密機械加工技術の展開

微频率梳应用超精密加工技术开发

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hainey Mel F.;Mano Takaaki;Kasaya Takeshi;Ochiai Tetsuyuki;Osato Hirotaka;Watanabe Kazuhiro;Sugimoto Yoshimasa;Kawazu Takuya;Arai Yukinaga;Shigetou Akitsu;Miyazaki Hideki T.;今村陸，長島圭吾，藤井瞬，熊﨑基，田邉孝;中島綾太，藤井瞬，今村陸，長島圭吾，田邉孝純;藤井瞬，葉山優花，熊崎基，和田幸四郎，柿沼康弘，田邉孝純
通讯作者：
藤井瞬，葉山優花，熊崎基，和田幸四郎，柿沼康弘，田邉孝純

Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor

n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs 双异质结场效应晶体管局部栅极边缘照明肖特基光电流的温度依赖性

DOI：
10.7567/1347-4065/ab0c76
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Kawazu Takuya;Noda Takeshi;Sakuma Yoshiki
通讯作者：
Sakuma Yoshiki

レート方程式を用いたEr添加微小光共振器の過渡解析

使用速率方程对掺铒微光学腔进行瞬态分析

DOI：
发表时间：
2021
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影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
中島綾太，長島圭吾，藤井瞬，今村陸，田邉孝純

Breaking the interband detectivity limit with metasurface multi-quantum-well infrared photodetectors

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DOI：
10.1364/oe.444223
发表时间：
2021
期刊：
Optics Express
影响因子：
3.8
作者：
Hainey Mel F.;Mano Takaaki;Kasaya Takeshi;Jimba Yoji;Miyazaki Hiroshi;Ochiai Tetsuyuki;Osato Hirotaka;Sugimoto Yoshimasa;Kawazu Takuya;Shigetou Akitsu;Miyazaki Hideki T.
通讯作者：
Miyazaki Hideki T.