GaN-based nanostructures for new generation of BIOmolecular ultra-sensitive Sensors for monitoring of biochemical reactions

用于监测生化反应的新一代生物分子超灵敏传感器的GaN基纳米结构

基本信息

项目摘要

Techniken, die eine markerfreie Detektion biologischer Stoffe ermöglichen, sind gegenwärtig von großem Interesse. Auf Nanodrähten basierende Feld-Effekt-Transistoren detektieren aufgrund ihres nanoskaligen Kanals die Anbindung eines Stoffes mit einer gesteigerten Empfindlichkeit. Dadurch sind Kleinstmengen organischer Stoffe elektronisch detektierbar. Selektivität wird hier durch photo- / elektro-chemische Funktionalisierung erreicht. Unsere Forschungsziele bestehen im Verständnis der Anbindung spezifischer molekularer Schichten an Halbleiteroberflächen, der Identifikation der Einflussfaktoren auf ihre Stabilität in Elektrolyten und auf der Abschätzung ihres Einflusses auf den 1D Elektronentransport, um die Sensorantwort interpretieren zu können. Dieses Wissen wird mit einer tieferen Einsicht in die elektronischen, die Oberflächen- und Transporteigenschaften bio-modifizierter 1D Strukturen gewonnen, die in diesem hier neu vorgestellten Ansatz im Nanomaßstab hergestellt werden. Unsere Arbeit wird aus der Simulation und der Herstellung neuer 1D Sensoren, sowie der Entwicklung neuer experimenteller Techniken für deren Charakterisierung bestehen. Auf diesen Studien aufbauend folgt der Aufbau ultra-sensitiver Sensoren zur markerfreien Detektion von DNA, die als proof-of-concept in diesem Programm stehen sollen. Es wird erwartet, dass sich durch diese Forschung neue Richtungen für das Screening mit integrierten Nanosensoren zur Moleküldetektion ergeben.
AUFNanodrähtenBasiellende,AufNanodrähtenBasiellende。 chemische funktionalisierung erreicht。 Elektrolyten auf den 1d ElektronEtransport,Um Die Sensortwork解释ZuKönnen。十个ansatz imnanomaßstab Hergestellt Werden。

项目成果

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Thermal functionalization of GaN surfaces with 1-alkenes.
1-烯烃对 GaN 表面进行热功能化
CIP (cleaning-in-place) stability of AlGaN/GaN pH sensors.
  • DOI:
    10.1016/j.jbiotec.2012.08.004
  • 发表时间:
    2013-02
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.1
  • 作者:
    S. Linkohr;Wilfried Pletschen;S. U. Schwarz;J. Anzt;V. Cimalla;Oliver Ambacher
  • 通讯作者:
    S. Linkohr;Wilfried Pletschen;S. U. Schwarz;J. Anzt;V. Cimalla;Oliver Ambacher
Detection of different target-DNA concentrations with highly sensitive AlGaN/GaN high electron mobility transistors
  • DOI:
    10.1016/j.snb.2015.01.019
  • 发表时间:
    2015-04-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    8.4
  • 作者:
    Espinosa, Nayeli;Schwarz, Stefan U.;Ambacher, Oliver
  • 通讯作者:
    Ambacher, Oliver
Sips adsorption model for DNA sensing with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
使用 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管进行 DNA 传感的 Sips 吸附模型
  • DOI:
    10.1557/opl.2015.131
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N. Espinosa;S.U. Schwarz;V. Cimalla;O. Ambacher
  • 通讯作者:
    O. Ambacher
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