Intensive wellenleitergebundene Terahertz-Strahlenquelle auf InN-Basis
基于 InN 的强波导束缚太赫兹辐射源
基本信息
- 批准号:165521999
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2010
- 资助国家:德国
- 起止时间:2009-12-31 至 2014-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Zielsetzung des beantragten Projektes ist die Entwicklung intensiver, breitbandiger Terahertz (THz)-Strahlungsquellen basierend auf der photoinduzierten Oberflächenemission an epitaktisch gewachsenen Indium-Nitrid (InN) Oberflächen und deren Integration in THz-Wellenleiter zur hochempfindlichen THz-Spektroskopie. Aufgrund der charakteristischen Materialeigenschaften von InN (starke optische Absorption, geringe Bandlücke und außergewöhnliche Bandstruktur) wird von diesem Halbleitersubstrat eine wesentlich intensivere THz-Emission als von allen bisher verwendeten Oberflächenemitter-Materialien erwartet. Es besitzt damit ein enormes Potential für den Einsatz sowohl in labortechnischen als auch industrietauglichen Terahertz-Spektroskopie Systemen. Die physikalischen Mechanismen, die zu der erhöhten THz-Emission von InN-Oberflächen führen sind gegenwärtig jedoch noch weitgehend unverstanden und sollen im Rahmen dieses Projektes im Detail untersucht und die gewonnenen Erkenntnisse zur Steigerung der Effektivität InN-basierter THz-Quellen genutzt werden . Die von uns verfolgte Strategie zur Entwicklung leistungsstarker THz-Emitter basiert auf einer engen interdisziplinären Zusammenarbeit mit den drei Eckpfeilern InN-Herstellung, numerische Simulation und experimentelle Charakterisierung. Zunächst werden durch gezielte Wachstumsvariationen der InN-Schichten und mit Hilfe von numerischen Simulationen des Ladungsträgertransports die kritischen Materialparameter, die zu einer effektiven THz-Emission von InN-Oberflächen führen, identifiziert. Zur Charakterisierung der Oberflächen werden begleitende THz-Experimente durchgeführt. In weiteren Arbeitsschritten wird die Auskopplung der THz-Strahlung aus dem Halbleiter optimiert, etwa durch Anlegen starker Magnetfelder oder die gezielte Mikrostrukturierung der Oberfläche.Zur technologischen Umsetzung sollen die optimierten THz-Oberflächenemitter schließlich in THz-Parallel-Platten Wellenleiter integriert werden um die darin mögliche starke Konzentrierung der Felder etwa für hochempfindliche THz-spektroskopische Anwendungen zu nutzen. Es werden damit erstmals leistungsfähige, kompakte und breitbandige THz-Meßsysteme basierend auf den hier entwickelten InN-Oberflächenemittern realisiert, die im Gegensatz zu konventionellen THz- Emittern aufgrund der geringen Bandlücke von InN auch mit modernen, leistungsstarken und kostengünstigen fs-Faserlasern mit Anregungswellenlängen von 1060 nm bzw. 1550 nm betrieben werden können.
氮化铟 (InN) Oberflächen und deren Integration in THz-Wellenleiter zur hochempfindlichen太赫兹光谱。 Oberflächenemitter-Materialien erwartet。 InN-basierter THz-Quellen genutzt werden 。太赫兹发射器是一种跨学科研究的太赫兹发射器,可用于模拟、数值模拟和实验特性。 InN-Oberflächen führen 的太赫兹发射,可识别。太赫兹辐射在 Halbleiter 优化中的应用,在 Anlegen 中与 Magnetfelder 或 Oberfläche 的 Mikrosstrukturierung 完全不同。完整的说明了太赫兹频谱分析的全部内容。 1550 nm 贝特里本Werden können。
项目成果
期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Mapping the coupling between a photo-induced local dipole and the eigenmodes of a terahertz metamaterial.
绘制光致局部偶极子与太赫兹超材料本征模之间的耦合
- DOI:10.1364/ol.39.006138
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:3.6
- 作者:J. Wallauer;C. Grumber;M. Walther
- 通讯作者:M. Walther
Optimal plasmonic focusing on a metal disc under radially polarized terahertz illumination
- DOI:10.1088/1367-2630/15/7/075005
- 发表时间:2013-07
- 期刊:
- 影响因子:3.3
- 作者:S. Waselikowski;C. Fischer;J. Wallauer;M. Walther
- 通讯作者:S. Waselikowski;C. Fischer;J. Wallauer;M. Walther
Large area InN terahertz emitters based on the lateral photo-Dember effect
- DOI:10.1063/1.4930233
- 发表时间:2015-09
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:J. Wallauer;Christian Grumber;V. Polyakov;R. Iannucci;V. Cimalla;O. Ambacher;M. Walther
- 通讯作者:J. Wallauer;Christian Grumber;V. Polyakov;R. Iannucci;V. Cimalla;O. Ambacher;M. Walther
Vacancy defect formation in PA-MBE grown C-doped InN
PA-MBE 生长的掺碳 InN 中空位缺陷的形成
- DOI:10.1002/pssc.201300507
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Prozheeva;Tuomisto;Koblmüller;Knübel
- 通讯作者:Knübel
N-type conductivity and properties of carbon-doped InN(0001) films grown by molecular beam epitaxy
- DOI:10.1063/1.4775736
- 发表时间:2013-01
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:M. Himmerlich;Andreas Knübel;R. Aidam;L. Kirste;A. Eisenhardt;S. Krischok;J. Pezoldt;P. Schley;E. Sakalauskas;R. Goldhahn;R. Félix;J. Mánuel;F. M. Morales;D. Carvalho;T. Ben;R. García;G. Koblmüller
- 通讯作者:M. Himmerlich;Andreas Knübel;R. Aidam;L. Kirste;A. Eisenhardt;S. Krischok;J. Pezoldt;P. Schley;E. Sakalauskas;R. Goldhahn;R. Félix;J. Mánuel;F. M. Morales;D. Carvalho;T. Ben;R. García;G. Koblmüller
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Professor Dr. Oliver Ambacher其他文献
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