Scalable Strained Silicon MOSFET Technology with Advanced Gatestack Materials
采用先进栅极堆叠材料的可扩展应变硅 MOSFET 技术
基本信息
- 批准号:0301238
- 负责人:
- 金额:$ 27万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:2003
- 资助国家:美国
- 起止时间:2003-07-01 至 2007-06-30
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The primary objective of this proposal is to demonstrate a scalable strained silicon technology that is integrated with advanced front-end processes. The scalability of the proposed approach is due to its applicability not only in planar bulk devices but also in a) strained silicon directly on oxide (SSOI) and in b) a novel double gate strained MOSFET (SSDG) that will be described in the proposal. The research will focus on strained Si layers since mobility enhancement can be obtained in both p-channel and n-channel devices. The program will consist of three research thrusts: a) Epitaxy of Strained Silicon layers, b) Advanced Gate stacks on Strained Silicon Layers and c) Device Demonstration. Since ITRS predicts the need for enhanced channel mobility by 2010, we believe initiation of this research effort in a timely manner is especially critical. The program is expected to stimulate innovation in development of alternative gate stack and junction processes suitable for strained layers. The program will take advantage of the diverse backgrounds of its investigators who have been working on advanced materials and processes for gate stacks, ultra-shallow junctions and low temperature epitaxy of Si and Si1-xGex alloys.In the education and outreach activities, we plan to provide an enriching research experience for graduate students with emphasis on nanoscale materials and devices and establish a collaborative and interdisciplinary group research environment. We will also create a course on beyond planar devices for the graduate curriculum. Opportunities will also be provided for undergraduate students to get involved in the research through existing REU programs.
该提案的主要目的是证明与先进的前端过程相结合的可扩展紧张的硅技术。所提出的方法的可伸缩性不仅是由于其适用性不仅在平面大量设备中,而且还应在a)直接在氧化物上(SSOI)上紧张的硅(SSOI)和b)中的新型双门紧张MOSFET(SSDG),在提案中将描述。 。该研究将集中在紧张的SI层上,因为在P通道和N通道设备中均可获得迁移率的增强。该程序将由三个研究推力组成:a)紧张的硅层的外延,b)紧张的硅层上的高级门堆和c)c)设备演示。由于ITR预测到2010年的渠道移动性需要增强的需求,因此我们认为及时启动这项研究工作尤其重要。预计该计划将刺激替代栅极堆栈和适合应变层的连接过程的创新。该计划将利用其研究人员的不同背景,他们一直在研究高级材料和流程,用于大门堆栈,超弹力连接以及SI1-XGEX合金的低温外观,我们计划在教育和外展活动中为研究生提供丰富的研究经验,重点是纳米级材料和设备,并建立协作和跨学科的小组研究环境。我们还将为研究生课程的超越平面设备创建课程。还将为本科生提供机会通过现有的REU计划参与研究。
项目成果
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