Studies on defect formation process and electrical properties of Silicon-Carbon strained heterostructures
硅碳应变异质结构缺陷形成过程及电性能研究
基本信息
- 批准号：23760011
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Growth conditions appropriate for formation of compressively strained Si/Si1-xCx heterostructure on Si(100) substrate using gas-source molecular beam epitaxy method have been systematically studied. Mechanisms of defect formation and stress relaxation process have been studied, which is essential f or the growth of high quality crystal. P-type MOSFETs with compressively strained Si channel layer were fabricated. Electrical characterization revealed hole mobility improvement in this material system.
已系统地研究了使用气体 - 源分子束外延法在Si（100）底物上形成SI/SI1-XCX异质结构的适合形成的生长条件。已经研究了缺陷形成和应力松弛过程的机制，这是必不可少的或高质量晶体的生长。制造具有压缩性SI通道层的P型MOSFET。电气表征揭示了该材料系统的孔迁移率提高。
项目成果
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专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy
利用气源分子束外延形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2011.12.084
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Keisuke Arimoto;Shoichiro Sakai;Hiroshi Furukawa;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Noritaka Usami;Yusuke Hoshi;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Keisuke Arimoto
- 通讯作者：Keisuke Arimoto
Reflectance anisotropies of compressively strained Si grown on vicinal Si1-xCx(001)
在邻接 Si1-xCx(001) 上生长的压缩应变 Si 的反射率各向异性
- DOI：10.1063/1.4773560
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：K. Sakamoto;Y. Iwamura,K. Yamamoto;H. Yang;D. Wang;H. Nakashima;Yoshinao Kumagai;R. E. Balderas-Navarro
- 通讯作者：R. E. Balderas-Navarro
Formation of Compressively Strained Si/Si1-xCx/Si(100) Heterostructure Using Gas-source MBE
使用气源 MBE 形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Furukawa;K. Arimoto;J. Yamanaka;K. Nakagawa;N. Usami;K. Sawano;Y. Shiraki
- 通讯作者：Y. Shiraki
ガスソース MBE 法による圧縮歪み Si/緩和 Si_1-x C_x /Si ヘテロ構造の形成と構造評価
气源MBE法压应变Si/松弛Si_1-x C_x /Si异质结的形成及结构评价
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：古川洋志;酒井翔一朗;有元圭介;山中淳二;中川清和;星裕介;宇佐美徳隆
- 通讯作者：宇佐美徳隆
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