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Accurate measurement and statistical analysis of gate leakage current of MOSFETs with atomically flat interface
原子级平坦界面MOSFET栅极漏电流的精确测量和统计分析
基本信息
- 批准号：24360129
- 负责人：
- 金额：$ 12.15万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
High Selectivity in Dry Etching of Silicon Nitride over Si Using a Novel Hydrofluorocarbon Etch Gas in a Microwave Excited Plasma for FinFET
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- DOI：10.1149/06103.0029ecst
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Nakao;T. Matsuo;A. Teramoto;H. Utsumi;K. Hashimoto;R. Kuroda;Y. Shirai;S. Sugawa;and T. Ohmi
- 通讯作者：and T. Ohmi
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- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tomita;D. Kosemura;K. Usuda;T. Tezuka;and A. Ogura;Akinobu Teramoto
- 通讯作者：Akinobu Teramoto
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- DOI：10.1117/12.2083111
- 发表时间：2015-03
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shunichi Wakashima;Fumiaki Kusuhara;R. Kuroda;S. Sugawa
- 通讯作者：Shunichi Wakashima;Fumiaki Kusuhara;R. Kuroda;S. Sugawa
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- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0.8
- 作者：原田和也;平間一行 ;大石敏之;嘉数 誠;Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa
- 通讯作者：Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa
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绝缘体和隔离图案晶圆上硅表面的原子平坦化
- DOI：10.7567/jjap.54.04da04
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Tetsuya Goto;Rihito Kuroda;Naoya Akagawa;Tomoyuki Suwa;Akinobu Teramoto;Xiang Li;Toshiki Obara;Daiki Kimoto;Shigetoshi Sugawa;Tadahiro Ohmi;Yutaka Kamata;Yuki Kumagai;and Katsuhiko Shibusawa
- 通讯作者：and Katsuhiko Shibusawa
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SUGAWA Shigetoshi其他文献
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