An over-100dB wide dynamic range solid-state image sensor with high sensitivity and high S/N ratio.
超过100dB的宽动态范围固态图像传感器,具有高灵敏度和高信噪比。
基本信息
- 批准号:16360165
- 负责人:
- 金额:$ 9.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2004
- 资助国家:日本
- 起止时间:2004 至 2005
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The purpose of this research is to propose the solid state image sensor with high sensitivity and high S/N performance that equals the solid state image sensor of a current best performance and exceed five digits (100dB) dynamic range and to build the base of the achievement technology.In the first year, it has succeeded in the design, making a chip and camera operation of the wide dynamic range CMOS image sensor that have the lateral overflow capacitor being adjacent to the pinned-photodiode of each pixel and storage exceeded saturation carriers in the same exposure time, and the characteristic of the dynamic range of 100dB was achieved. In the next year, the CMOS image sensor quantitatively examines the tolerance to the leakage current, dark current and noise at a high luminance light irradiation. The photoelectron that overflowed from the photodiode was able to accumulate in the lateral overflow capacitor effectively and the leakage to the adjacent pixels corresponds to a ratio of the 10^<-3> or less, and the tolerance to the noise of the signal that accumulated in the lateral overflow capacitor had 100 times or more the tolerance for the noise signal of the photodiode. Moreover, the change of the design of the lateral overflow capacitor in the pixel and the operation timing have been done to achieve the color image sensor, and the improvement of linearity of photoelectric conversion characteristic and sensitivity. The color CMOS image sensor having effective number of pixels 640x480, pixel size 7.5um was fabricated, and the high-resolution color taking picture performance that had the characteristic of the dynamic range of 102dB was achieved. By researching this CMOS image sensor, the base of the wide dynamic range and high quality imaging technology with good time and spatial sampling was able to be built.
这项研究的目的是提出具有高灵敏度和高S/N性能的固态图像传感器,等于当前最佳性能的固态图像传感器,超过五位数字(100dB)动态范围,并建立成就技术的基础。在第一年,它在设计方面已经成功地构成了较广泛的动态范围CMOS CMOS的操作。在相同的曝光时间内,每个像素和存储的固定载体都超过了饱和载流子,并实现了100dB的动态范围的特征。第二年,CMOS图像传感器定量检查了在高亮度光照射下泄漏电流,暗电流和噪声的公差。从光电二极管溢出的光电子能够有效地积聚在横向溢流电容器中,并且对相邻像素的泄漏对应于10^<-3>或更少的比率,并且对侧面溢出电容器中噪声积累的噪声的容忍度对应于100次或更多的噪声信号的信号,或者对噪声的噪声更大。此外,已经完成了像素中横向溢出电容器的设计和操作计时的变化,以实现颜色图像传感器,以及光电转换特性和灵敏度的线性改善。具有有效数量像素640x480,像素尺寸7.5UM的颜色CMOS图像传感器,并制造了高分辨率的颜色,具有具有102DB的动态范围的图像性能。通过研究该CMOS图像传感器,可以构建具有良好时光和空间采样的广泛动态范围和高质量成像技术的基础。
项目成果
期刊论文数量(26)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
S Sensitivity and Linearity Improvement of a 100 dB Dynamic Range CMOS Image Sensor Using a Lateral Overflow Integration Capacitor
使用横向溢出集成电容器提高 100 dB 动态范围 CMOS 图像传感器的灵敏度和线性度
- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Nana Akahane;須川成利;須川成利;Nana Akahane;Nana Akahane;Shigetoshi Sugawa;Shigetoshi Sugawa;Nana Akahane;Shigetoshi Sugawa;須川成利;Satoru Adachi;Nana Akahane;盛一也;赤羽奈々;Shigetoshi Sugawa;Kazuya Mori;Nana Akahane;S.Adachi;N.Akahane
- 通讯作者:N.Akahane
横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの高感度化とリニアリティ特性改善
使用水平溢出存储电容器提高宽动态范围 CMOS 图像传感器的灵敏度和线性特性
- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Nana Akahane;須川成利;須川成利;Nana Akahane;Nana Akahane;Shigetoshi Sugawa;Shigetoshi Sugawa;Nana Akahane;Shigetoshi Sugawa;須川成利;Satoru Adachi;Nana Akahane;盛一也;赤羽奈々
- 通讯作者:赤羽奈々
横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
使用水平溢出存储电容器的宽动态范围 CMOS 图像传感器
- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Nana Akahane;須川成利;須川成利;Nana Akahane;Nana Akahane;Shigetoshi Sugawa;Shigetoshi Sugawa;Nana Akahane;Shigetoshi Sugawa;須川成利
- 通讯作者:須川成利
Recent Trend on Wide Dynamic Range Image Sensors
宽动态范围图像传感器的最新趋势
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Nana Akahane;須川成利;須川成利;Nana Akahane;Nana Akahane;Shigetoshi Sugawa
- 通讯作者:Shigetoshi Sugawa
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