Investigation of process technology for nitride semiconductor based integrated circuits for harsh environment electronics

用于恶劣环境电子产品的基于氮化物半导体的集成电路工艺技术研究

基本信息

  • 批准号:
    20K04579
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
AlGaN/GaNヘテ ロ構造の TiAl 系オーミック電極の基礎的検討
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窒化物半導体電子デバイスのプロセス開発と応用
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yota Uehigashi;Shinya Ohmagari;Hitoshi Umezawa;Hideaki Yamada;Jianbo Liang;and Naoteru Shigekawa;岡田 浩
  • 通讯作者:
    岡田 浩
小型アクチュエータ駆動のための窒化物半導体集積回路の検討
驱动小型执行器的氮化物半导体集成电路研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    秋良芳樹;赤松龍弥;真下智昭;岡田浩
  • 通讯作者:
    岡田浩
Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木村泰希;古神義則;清水隆志,;尾内亮太,山形翔,古川雅一,若原昭浩,岡田 浩
  • 通讯作者:
    尾内亮太,山形翔,古川雅一,若原昭浩,岡田 浩
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    2001
  • 资助金额:
    $ 2.75万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    20H00252
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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