Preparation of uniform contact-interface applying nanocrystalline silicide with controlled crystalline grain size

采用可控晶粒尺寸的纳米晶硅化物制备均匀接触界面

• 批准号: 23560353
• 负责人: NOYA Atsushi
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: Kitami Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560353/
• 关键词: 電気・電子材料; シリサイド; NiSi; NiSi2; 低温形成; Niシリサイド; Ni結晶粒; 界面平坦性; 結晶粒成長

We have examined the formation of a uniform NiSi/Si contact-interface by reducing its crystalline grain size under the appropriate preparation conditions. It is revealed that the temperature during Ni sputter-deposition on the heated Si substrate and that during the following annealing process are important to reduce the crystalline grain size. Under a certain temperature, the growth of NiSi2, a high temperature phase, occurs at a lower temperature, resulting in the degradation of the uniform interface. It is speculated that the low temperature formation of NiSi2 is owing to the formation of an interdiffused Ni-Si layer with a concentration gradient of Ni, in which NiSi2 will nucleate from an alloy region in a Si-rich composition. We confirm the NiSi2 formation in the system of Ni on SiO2/Si, in which the Ni diffusion through a thin SiO2 layer reduces the diffusivity of Ni species, resulting in the formation of a Si-rich Ni-Si alloy from which NiSi2 will nucleate.

我们通过在适当的制备条件下减少其结晶晶粒大小来检查均匀的NISI/SI接触接口的形成。据表明，在加热的SI基板上NI溅沉位期间的温度以及在接下来的退火过程中对于减少晶粒尺寸很重要。在一定温度下，NISI2的生长是高温阶段，发生在较低的温度下，导致均匀界面的降解。据推测，NISI2的低温形成是由于具有浓度的Ni浓度梯度的散射Ni-Si层的形成，其中NISI2将从富含Si的组合物中的合金区域成核。我们在SiO2/Si上的Ni系统中确认NISI2形成，其中Ni通过薄SIO2层扩散降低了Ni物种的扩散性，从而形成了Si-Rich Ni-Si合金，NISI2将其从中成核。 。

项目成果

Ni/Si固相反応におけるNiSi-NiSi2相の低温での共存形成

Ni/Si固相反应中低温共存形成NiSi-NiSi2相

• 发表时间: 2012
• 作者: 野矢;佐藤;武山
• 通讯作者: 武山

Ni/Si固相反応系におけるNiSi-NiSi2相の低温での共存形成

Ni/Si固相反应体系低温共存形成NiSi-NiSi2相

• 发表时间: 2012
• 作者: 野矢厚;佐藤勝;武山真弓
• 通讯作者: 武山真弓

Ni/Si系におけるNiSi2相の低温形成

Ni/Si体系中NiSi2相的低温形成

• 发表时间: 2014
• 作者: 野矢;武山
• 通讯作者: 武山

NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用

NiSi相的形成及其在Cu触点中的应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 武山;佐藤;野矢
• 通讯作者: 野矢

酸化層の介在したNi/Si系でのシリサイド反応

具有氧化层的 Ni/Si 体系中的硅化物反应

• 发表时间: 2014
• 作者: 野矢;武山;野矢 厚 武山 真弓
• 通讯作者: 野矢 厚 武山 真弓