Single-oriented thin film interconnects in LSI technology prepared based on the epitxial relationships
基于外延关系制备的LSI技术中的单向薄膜互连
基本信息
- 批准号:08650361
- 负责人:
- 金额:$ 1.34万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:1996
- 资助国家:日本
- 起止时间:1996 至 1997
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Metal/semiconductor contacts with a stacking structure consisting of a single oriented thin film of interconnects on a single oriented diffusion barrier deposited on Si are developed. The contacts of (1) Al (001)/YSi_<2-x>/Si (001), (2) Cu (111) /W (110) /Si(100), (3) Cu (110) /ZrN (100) /Si (100), (4) Cu (111) /Ta-W (110) /Si (100), and (5) Al (111) /Ta-W (110) /Si (100) are successfully prepared. The epitaxial growth of each layr in the contact of (1) and the oriented layrs in those of (2) - (5) are confirmed by x-ray diffraction and transmission electron microscopy. The contact of (1) fails due to the formation of Al_3Y compound upon annealing for 1 h at temperatures over 450゚C.Since the epitaxial relationships restrict the combination of materials used in the contacts, the thermal stability is not always compatible with the formation of epitaxial contacts. The contacts with single oriented layrs, on the other hand, are stable upon annealing at high temperatures. The [110] oriented W barrier is consumed by a uniform silicidation reaction, and the contact is sable upon annealing at 690゚C for 1 h, while the polycrystalline W barrier fails before the silicidation reaction occurs. The ZrN barrier is stable upon annealing at 750゚C,but fails due to re-crystallization upon annealing at 800゚C.The solid solution of Ta-W barrier shows an excellent barrier property as compared with each component barrier. The Ta_<0.5>W_<0.5> barrier is the most stable among alloys with different compositions, which tolerates upon annealing at 700゚C.The [111] texture of Al is grown on the Ta-W barriers, and is useful for the electromigration torelant contacts.
SI上的互连的单一互连薄膜的金属/半导体接触是(1)Al(001)/ysi_ <2-x>/si(001),(2)Cu(111)的含量。 /w(110) /si(100),(3)Cu(110) /Zrn(100),(4)Cu(4)Cu(111) /Ta-W(Ta-W(111)110) /si(5)Al (111) /ta -w(110) /si(100)在(2) - (5)中成功地通过x-射线衍射和透射电子显微镜确认。超过450°C。在触点中使用的材料的组合是在高温下退火时与单一方向的layr稳定的接触W屏障被均匀的SIL连接所消耗,并且在硅化重新验证之前在690 s处退火时,该结合物在750°C退火时稳定,但由于800°退火而失败。 C. TA-W屏障的固体溶液与每个物体屏障相比显示出极好的屏障特性。 ta-w-war屏障的质地[111]质地。
项目成果
期刊论文数量(17)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
武山 真弓 ら: "Cuメタライゼーションにおける低温で作製されたZrN薄膜の拡散バリヤ効果" 電子情報通信学会技術研究報告. 96,No.329. pp.27-33 (1996)
Mayumi Takeyama等人:“Cu金属化中低温制备的ZrN薄膜的扩散势垒效应”IEICE技术研究报告,第96期,第329期,第27-33页(1996年)。
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- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Takeyama et al.: "Thermal stability of Cu/W/Si contact systems using layers of Cu(111) and W(110) preferred orientations" Journal of Vacuum Science & Technology. A15,No.2(4月刊行予定). (1997)
M.Takeyama 等人:“使用 Cu(111) 和 W(110) 择优取向层的 Cu/W/Si 接触系统的热稳定性”《真空科学与技术杂志》A15,第 2 期(计划发表于四月))(1997)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Sase, M.Takeyama and A.Noya: "Application of Ta-W alloy films as diffusion barriers for Cu/Si contact systems" Technical Report of IEICE Jpn.96. No.350. 13-19 (1996)
T.Sase、M.Takeyama 和 A.Noya:“Ta-W 合金薄膜作为 Cu/Si 接触系统扩散阻挡层的应用”IEICE Jpn.96 的技术报告。
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- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Fukuda, M.Takeyama and A.Noya: "Solid-phase reactions in polymorphic epitaxial contact systems of Al/YSi_<2-x>/Si" Jpn.J.Appl. Phys. 36, No.4A. 2319-2320 (1997)
T.Fukuda、M.Takeyama 和 A.Noya:“Al/YSi_<2-x>/Si 多晶型外延接触系统中的固相反应”Jpn.J.Appl。
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武山真弓ら: "高配向成長させたCu(111)/W(110)/Si(100)コンタクト構造の熱的安定性" 電子情報通信学会技術研究報告. 96,No.329. 19-25 (1996)
Mayumi Takeyama等:“高取向Cu(111)/W(110)/Si(100)接触结构的热稳定性”IEICE技术研究报告,第96期,第329期。19-25(1996)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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