Development of new barrier materials of compound for ultra-fine copper interconnects

超细铜互连复合新型阻挡材料的研制

• 批准号: 19560308
• 负责人: NOYA Atsushi
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Kitami Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560308/
• 关键词: 薄膜; ZrB_2; 化合物; 配線; バリヤ; ZrB2; 配緑

We have prepared thin Zr-B films at low temperatures as a new material applicable to an extremely thin barrier against Cu diffusion in Si-ULSI metallization. The sputter-deposited Zr-B films from a composite target mainly consist of ZrB_2 phase with a nanocrystalline texture on SiO_2 and a fiber texture on Cu. The resistivity of the Zr-B films depends on the substrate of SiO_2 or Cu. The constituent ratio of B/Zr is almost 2, though the contaminants of oxygen, nitrogen, and carbon are incorporated in the film. The nanocrystalline structure of the Zr-B film on SiO_2 is stable due to annealing at temperatures up to 500℃ for 30 min. We applied the 3-nm thick Zr-B film to a diffusion barrier between Cu and SiO_2, and the stable barrier properties were confirmed. We can demonstrate that the thin Zr-B film is a promising candidate for thin film application to a metallization material in Si-ULSIs.

我们已经在材料上制备了薄Zr-b膜，因为在Si-ulsati中，来自复合目标的Si-ulsati中的新生成薄片cu差异cu扩散，主要由Zrb_2相组成，主要由SIO_2上的纳米晶纹理和纤维纹理纹理组成ZR-B膜取决于SIO_2或CU的底物，尽管胶片中的纳米晶体在SIO_2的纳米晶体中均纳入了稳定性，但在温度下稳定。 C.在CU和SIO_2之间进行30分钟ZR-B膜和稳定的屏障性能。

项目成果

低温作製されたZrBx薄膜の特性評価

低温制备ZrBx薄膜的表征

• 发表时间: 2009
• 作者: 武山真弓;宮地一成;木嶋雄介;佐藤勝;野矢厚
• 通讯作者: 野矢厚

ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性

ZrB_2薄膜的表征及Cu/SiO_2间的势垒性能

• 发表时间: 2007
• 作者: 武山真弓;中台保夫;神原正三;畠中正信;野矢厚
• 通讯作者: 野矢厚

低温作製されたZrBx薄膜のCu配線への適用

低温制备ZrBx薄膜在铜布线中的应用

• 发表时间: 2010
• 作者: 武山真弓;佐藤勝;野矢厚
• 通讯作者: 野矢厚

ZrBx薄膜の特性評価とCu多層配線への応用

ZrBx薄膜的特性评估及其在Cu多层布线中的应用

• 发表时间: 2009
• 作者: 武山;佐藤;早坂;青柳;野矢
• 通讯作者: 野矢

Low temperature deposited ZrB_2 92km applicable to extremely fain barrier against copper interconmect

低温沉积ZrB_2 92km 适用于铜互连极薄屏障

• 发表时间: 2008
• 作者: M. B. Takyama;A. Noya;et.al.
• 通讯作者: et.al.