High-Density New Two-Terminal Resistive Nonvolatile Memory Using SiC and Its Integration Technology

采用SiC的高密度新型两端电阻式非易失性存储器及其集成技术

• 批准号: 21360164
• 负责人: SUDA Yoshiyuki
• 金额: $ 11.4万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360164/
• 关键词: 集積回路; 半導体メモリ; SiC; 不揮発性メモリ; 半導体超微細化; 抵抗変化型; トンネル効果; RRAM; 電子デバイス・機器; メモリ; MIS; 不揮発性

To evolve the miniaturization and versatility for industrial and consumer electronics which will become core products for future in Japan, we have clarified the relationship between the structure and the operating principle for our proposed new-structured metal/tunneling oxide-layer/electron trapping-layer/SiC/n-Si two-terminal resistive nonvolatile memory and have obtained an on/off current ratio of > 10 and an endurance cycle of >10^4. In addition to the results, we have furthermore devised advanced-type memory by changing materials for the layers and substrate and have obtained important fundamental technologies and guidelines for practical integration applications.

为了发展工业和消费电子产品的小型化和多功能性，这些电子产品将成为日本未来的核心产品，我们阐明了我们提出的新结构金属/隧道氧化物层/电子捕获层的结构和工作原理之间的关系/SiC/n-Si两端电阻式非易失性存储器，并获得了>10的开/关电流比和>10^4的耐久周期。除了这些成果之外，我们还通过改变层和衬底的材料设计了先进型存储器，并获得了重要的基础技术和实际集成应用的指南。

项目成果

SiCの赤外吸収(2)各種材料の測定

SiC的红外吸收 (2) 各种材料的测量

• 发表时间: 2010
• 作者: 井上直久;須田良幸;岩崎慶士;菅谷孝夫;後藤安則;河村裕一
• 通讯作者: 河村裕一

SiC薄膜の赤外吸収

SiC薄膜的红外吸收

• 发表时间: 2009
• 作者: 井上直久;須田良幸;山口雄一郎;河村裕一;久保田嘉孝
• 通讯作者: 久保田嘉孝

浮遊電極を用いた2端子型抵抗変化型不揮発性メモリ

使用浮动电极的2端子电阻可变非易失性存储器

• 发表时间: 2009
• 作者: 野村彬成;山口祐一郎;須田良幸
• 通讯作者: 須田良幸

半導体メモリ装置およびその製造方法

半导体存储器件及其制造方法

• 发表时间: 2011

Nonvolatile-Resistance-Memory Property of SiOx-capped 3C-SiC Ultrathin Films on Si(100) Prepared by Using Monomethylsilane

甲基硅烷制备Si(100)基SiOx覆盖的3C-SiC超薄膜的非易失性电阻记忆性能

• 发表时间: 2010
• 作者: ローランドバンタクロ;山口祐一郎;齋藤英司;半田浩之;宮本優;鈴木康;須田良幸;末光眞希
• 通讯作者: 末光眞希