Technology of Formation of Ge Virtual Substrates by Growth of Ge Flat Films Directly on Si Using Sputter Epitaxy Method

溅射外延法在Si上直接生长Ge平膜形成Ge虚拟衬底技术

• 批准号: 25630123
• 负责人: SUDA Yoshiyuki
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25630123/
• 关键词: ゲルマニウム; 仮想基板; エピタキシー; サファクタント; ヘテロ接合; 高速デバイス

项目成果

Effects of boron dopants of Si (001) substrates on formation of Ge layers by sputter epitaxy method

• DOI: 10.1063/1.4826501
• 发表时间: 2013-10
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda

Effects of DC Sputtering Conditions on Formation of Ge Layers on Si Substrates by Sputter Epitaxy method

直流溅射条件对溅射外延法在硅基片上形成Ge层的影响

• 发表时间: 2014
• 作者: Takahiro Tsukamoto;Nobumitsu Hirose;Akifumi Kasamatsu;Takashi Mimura;Toshiaki Matsui;and Yoshiyuki Suda
• 通讯作者: and Yoshiyuki Suda

Formation of GeSn layers on Si (001) substrates at high growth temperature and high deposition rate by sputter epitaxy method

• DOI: 10.1007/s10853-015-8990-4
• 发表时间: 2015-04
• 期刊: Journal of Materials Science
• 影响因子: 4.5
• 作者: T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda

スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成

采用溅射外延法直接在 Si 上形成 GeSn 薄膜

• 发表时间: 2014
• 作者: J. Shi;Y. Takagi;D. Anzai and J. Wang;塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
• 通讯作者: 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸

Effect of boron dopant of Si (001) substrates on growth of Ge layers using sputter epitaxy method

Si(001)衬底硼掺杂剂对溅射外延法生长Ge层的影响

• 作者: T. Tsukamoto;A. Kasamatsu;N. Hirose;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda
• 通讯作者: Y. Suda