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Study on gallium oxide-based deep ultraviolet light emitters
氧化镓基深紫外光发射器的研究
基本信息
- 批准号：19360007
- 负责人：
- 金额：$ 11.48万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We aimed at developing new semiconductor-based LEDs, which may lead to brighter and cheaper LED bulbs. The results suggested the requirement of further efforts from the more basic points of views, but the evolution is positively expected. On the other hand, this semiconductor was found to be promising for new devices supporting our secure and safe life, for example, those monitoring ultrasonic sanitization processes for water or foods and those detecting fire at the earliest stage with flame monitoring.
我们旨在开发新的基于半导体的LED，这可能会导致更明亮，更便宜的LED灯泡。结果表明，从更基本的观点观点的角度开始需要进一步努力，但是进化是积极的预期。另一方面，发现该半导体对于支持我们安全和安全的生活的新设备有希望，例如，那些监测水或食物的超声波卫生过程，以及那些在最早通过火焰监测的阶段发现火灾的人。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Properties of Ga_2O_3-based (In_xGa_<1-x>)_2O_3 alloy thin films grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长Ga_2O_3基(In_xGa_<1-x>)_2O_3合金薄膜的性能
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takayoshi Oshima;Takayoshi Oshima;Takayoshi Oshima;Takayoshi Oshima
- 通讯作者：Takayoshi Oshima
Wet Etching of β-Ga2O3 Substrates
- DOI：10.1143/jjap.48.040208
- 发表时间：2009-04-01
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Oshima, Takayoshi;Okuno, Takeya;Fujita, Shizuo
- 通讯作者：Fujita, Shizuo
Vertical solar-blind deep-ultraviolet schottky photodetectors based on β-Ga2O3 substrates
- DOI：10.1143/apex.1.011202
- 发表时间：2008-01-01
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：Oshima, Takayoshi;Okuno, Takeya;Fujita, Shizuo
- 通讯作者：Fujita, Shizuo
コランダム構造を持つ新しいa型Ga_2O_3-Fe_2O_3-Cr_2O_3混晶系
刚玉结构的新型a型Ga_2O_3-Fe_2O_3-Cr_2O_3混晶系
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.Kaji;S.Entani;S.Ikeda;K.Saiki;古田稔明;金子健太郎
- 通讯作者：金子健太郎
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