Dynamic micro-plasma excited AlGaN high power DUV light emitter operated at around 10W class power

动态微等离子体激发 AlGaN 高功率 DUV 光发射器，工作功率约为 10W 级

• 批准号: 25249053
• 负责人: Aoyagi Yoshinobu
• 金额: $ 28.95万
• 依托单位: Ritsumeikan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25249053/
• 关键词: 深紫外発光素子; MIPE; 大面積発光素子; 高出力発光素子; Si基板; LED; マイクロプラズマ; AlGaN; プラズマ励起; 深紫外光源; 大面積; 波長可変; 紫外線殺菌; 紫外線分解

项目成果

Realization of conductive AlN buffer layer using spontaneous nano-size via-holes and its application to vertical AlGaN devices on Si substrate

利用自发纳米尺寸通孔实现导电AlN缓冲层及其在Si衬底上垂直AlGaN器件中的应用

• 发表时间: 2016
• 作者: Daiki Kuzume;GeQi Qi;Lin Zhenglong;Jiajia Yang;Hiroaki Shigemasu;Hiroshi Kadota;Kiyoshi Nakahara;Jinglong Wu;鹿田真一;N. Kurose
• 通讯作者: N. Kurose

深紫外発光素子

深紫外发光装置

• 发表时间: 2013

Development of High Power, Large Area, Deep Ultraviolet Light Emitting Device using Dynamic Micro-plasma Excitation of AlGaN Multi-quantum Wells (MIPE)

利用AlGaN多量子阱动态微等离子体激发（MIPE）开发高功率、大面积、深紫外发光器件

• DOI: 10.1541/ieejfms.134.307
• 发表时间: 2014
• 期刊: IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials
• 作者: 黒瀬範子;青柳克信
• 通讯作者: 青柳克信

Fabrication of nonlinear photonic crystal and its application to UV laser

非线性光子晶体的制备及其在紫外激光中的应用

• 发表时间: 2015
• 作者: Y. Aoyagi;N. Kurose and S. Inoue
• 通讯作者: N. Kurose and S. Inoue

Development of new type vertical deep ultra-violet light emitting Device（RefV-LED）

新型垂直深紫外发光器件（RefV-LED）的研制

• 发表时间: 2014
• 作者: N.Kurose;Y.Aoyagi
• 通讯作者: Y.Aoyagi