Development of new high power deep UV light emitting device

新型高功率深紫外发光器件的研制

• 批准号: 22246051
• 负责人: AOYAGI Yoshinobu
• 金额: $ 31.78万
• 依托单位: Ritsumeikan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22246051/
• 关键词: 深紫外光; マイクロプラズマ; AlGaN; MIPE; 深紫外発光素子; 水浄化; 医療応用; 高出力; 高品質GaAlN結晶; 2光速同時その場観測法; スパッタ装置; 水銀灯; 高効率; 水殺菌

A dynamically-controlled micro-plasma-excited (MIPE) aluminum gallium nitride deepultraviolet (DUV) light-emitting device is demonstrated. This device provides high-powerDUV emission at any desired wavelength, and allows enlargement of emission areas likeplasma display panels for easy, low-cost fabrication. Neither p-n junctions nor electrodecontacts are required for device fabrication. We fabricated 2-inch diameter wafer-sizeMIPE emitters of DUV light at specific wavelengths from AlGaN quantum wells with 50 mWaverage output power. We can also fabricate 6-inch diameter DUV emitters using sapphirewafers and 1 m×5 m panel-type DUV emitters.

展示了一种动态控制的微汗水（MIPE）氮化铝镀氮化铝（DUV）发光装置。该设备在任何所需的波长下都提供高电源的发射，并允许扩展超级显示面板（例如易于制造）的发射区域。设备制造不需要P-N连接或电界面。我们在具有50 mWaveragery输出功率的Algan Quantum井的特定波长下制造了DUV LIGHT的2英寸直径波 - 齐序发射器。我们还可以使用SapphireWafers和1 M×5 M面板型DUV发射器来制造6英寸DUV发射器。

项目成果

高出力大面積マイクロプラズマ励起AlGaN 深紫外発光素子の開発

高功率、大面积微等离子体激发AlGaN深紫外发光器件的研制

• 作者: 黒瀬範子;青柳克信
• 通讯作者: 青柳克信

オゾン濃度測定装置

臭氧浓度测量装置

• 发表时间: 2011

Development of DUV Light Emitter by Nonlinear PhotonicCrystal and AlGaN Semiconductors

利用非线性光子晶体和 AlGaN 半导体开发 DUV 光发射器

• 发表时间: 2010
• 作者: 安富啓太;李卓;香川景一郎;新岡宏彦;橋下守;川人祥二;Y.Aoyagi
• 通讯作者: Y.Aoyagi

基礎からわかるナノデバイス

对纳米器件的基本了解

• 发表时间: 2011
• 作者: Anzeures;G.;Ge;L.;Wang;Z.;Itakura;S.;Lee;K.;高柳英明
• 通讯作者: 高柳英明

III族窒化物半導体深紫外光源による水処理

使用III族氮化物半导体深紫外光源进行水处理

• 发表时间: 2010
• 作者: 武内道一;黒内正仁;青柳克信;安井宣仁;神子直之
• 通讯作者: 神子直之