3-D analyses for crack tip dislocations by using electron tomography
使用电子断层扫描进行裂纹尖端位错的 3D 分析
基本信息
- 批准号：18360305
- 负责人：
- 金额：$ 8.97万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
近年金属材料分野への応用が始まった電子線トモグラフィ法は, 主に吸収コントラストを用いた観察に限られてきたため, 回折コントラストを用いて結像させる転位のトモグラフィ観察は難しい状況にあった. そのような中で本研究では, 試料の回転軸と回折ベクトルを供に亀裂進展方向と平行になるよう制御し, 連続傾斜像取得中に転位のコントラストを一定に保つことで, 亀裂先端転位群のトモグラフィ観察を行い, 亀裂先端転位の三次元構造を明らかにした.
近年来，开始将电子线方法应用于金属材料领域，仅限于使用吸收对比度观察，因此很难观察到收敛的明天，在这种情况下，这种对比度使用了衍射对比度，在这项研究中，将样品的旋转轴和衍射载体的控制与裂纹进度方向平行，并且在连续倾斜期间，收敛对比保持恒定，以便明天的裂纹转向。澄清裂纹尖端的三维结构。
项目成果
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专著数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Crack Tip dislocations Observed by High-Voltage Electron-Microscopy in Single Crystal Silicon
高压电子显微镜观察单晶硅中的裂纹尖端位错
- DOI：
- 发表时间：2006
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tanaka;K. Higashida;H. Nakashima;H. Takagi and M. Fujiwara;川本重雄;F. Kawashima;K. Higashida and M. Tanaka
- 通讯作者：K. Higashida and M. Tanaka
Three-dimensional observation of dislocations by electron tomography in a silicon crystal
通过电子断层扫描对硅晶体中的位错进行三维观察
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tanaka;M. Honda;M. Mitsuhara;S. Hata;K. Kaneko;K. Higashida
- 通讯作者：K. Higashida
Si結晶中のき裂先端転位とその内部応力場の赤外光弾性法による可視化
使用红外光弹性方法可视化硅晶体中的裂纹尖端位错及其内应力场
- DOI：
- 发表时间：2006
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：東田賢二;田中將己;星野由美
- 通讯作者：星野由美
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- 资助金额：
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- 资助金额：
$ 8.97万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 8.97万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 8.97万 - 项目类别：
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- 批准号：
18K19328 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 8.97万 - 项目类别：
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