Der Tunneltransistor in matrixförmigen Schaltungen und Sensoren

矩阵电路和传感器中的隧道晶体管

• 批准号: 5272596
• 负责人: Professorin Dr. Doris Schmitt-Landsiedel
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Schaltungsentwurf
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5272596?language=en
• 关键词: Der; Tunneltransistor; matrixf; rmigen; Schaltungen

Mit den neuen Bauelementen aus der Forschergruppe, dem vertikalen MOSFET, double-Gate-MOSFET und Esaki-Tunneltransistor, sollen Grundschaltungen für digitale, analoge und Speicherfunktionen in ULSI-Bausteinen entworfen werden. Dazu gehört die Entwicklung der Schaltungssimulation mit diesen Bauelementen und die Untersuchung der Robustheit gegenüber Parameterschwankungen. Für vertikale MOSFETs und Dual Gate-Transistoren müssen neue Anschlußtopologien entwickelt werden. Der Vergleich derparasitären Einflüsse verschiedener Transistor-Konstruktionen auf die Schaltungen wird zur Bauelementeoptimierung, besonders im Kompromiß von kleinen Kapazitäten und niedrigem Anschlußwiderstand, herangezogen. Für den Esaki-Tunneltransistor gibt es noch keine Schaltungstechnik. Die direkte Koppelung von Bauelement- und Schaltungsentwicklung in der Gruppe ermöglicht die frühzeitige Erforschung neuer Schaltungsanordnungen und dieGesamtoptimierung von Bauelement- und Schaltungseigenschaften hinsichtlich Schalteigenschaften, Verlustleistung und Robustheit. Die für hochintegrierte Schaltungen wesentliche Möglichkeit einer Komlementärtechnik mit n- und p-leitenden Transistoren soll von Beginn an berücksichtigt werden.

mit den neuueLementen aus der forschergruppe，dem vertikalen mosfet，双mosfet和esaki-tunneltranstor，sollen ngenfürdigitale，模拟KompromißvonKapazitätenKapazitäten，Undrigem Anschluwiderstand，Herangezogen。麻省理工学院n-dund p-p-p-p-leitenden transistoren soll von beginn an anberücksichtigt沃登。