InP基RTD/HBT量子单片微波集成电路关键技术研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60676062
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:30.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0404.半导体电子器件与集成
- 结题年份:2009
- 批准年份:2006
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2007-01-01 至2009-12-31
- 项目参与者:王伟; 徐安怀; 艾立鹍; 喻筱静; 林玲; 崔斌; 田为中;
- 关键词:
项目摘要
本项目主要研究基于集成磷化铟(InP)异质结晶体管(HBT)和共振隧道二极管(RTD)结构的单片微波集成电路(MMIC)。采用器件模拟软件Medici模拟研究集成在InP衬底上的RTD和HBT器件,找到一种既能提高二者器件的电学性能,又能便于工艺实现集成的外延层结构;再从理论上分析器件层结构参数变化对RTD和HBT器件电学特性的影响,优化器件结构设计。同时,利用气态源分子束(GSMBE)工艺生长出该结构,探索新结构的生长机理。采用半导体微细加工技术实现RTD和HBT器件以及无源器件的单片集成,并提取出器件模型参数,嵌入到集成电路设计软件HP-ADS软件,模拟设计和实现RTD/HBT微波单片集成压控振荡器(VCO),达到改善电路相位噪声,提高线性度,减少芯片面积,降低功耗的目的,从而提高毫米波芯片集成收发系统性能。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(3)
专利数量(0)
Study on InP/InGaAs/InP DHBT structure with step-graded composite collector
阶梯梯度复合集电极InP/InGaAs/InP DHBT结构研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:固体电子学研究与进展
- 影响因子:--
- 作者:Ai, Likun;Sun, Hao;Zhu, Fuying;Qi, Ming;Xu, Anhuai
- 通讯作者:Xu, Anhuai
Heavily carbon-doped p-type GaAsSb grown by gas source molecular beam epitaxy
气源分子束外延生长重碳p型GaAsSb
- DOI:--
- 发表时间:2007-10
- 期刊:半导体学报
- 影响因子:--
- 作者:Qi, Ming;Xu, Anhuai;Ai, Likun;Sun, Hao;Zhu, Fuying
- 通讯作者:Zhu, Fuying
GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:功能材料与器件学报
- 影响因子:--
- 作者:齐鸣;徐安怀;孙晓玮;林玲;王伟
- 通讯作者:王伟
InP基RTD特性数值模拟研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:固体电子学研究与进展
- 影响因子:--
- 作者:王伟;齐鸣;徐安怀;孙晓玮;孙浩
- 通讯作者:孙浩
新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究
- DOI:--
- 发表时间:2010
- 期刊:固体电子学研究与进展
- 影响因子:--
- 作者:徐安怀;孙浩;朱福英;齐鸣;艾立鹍
- 通讯作者:艾立鹍
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其他文献
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- 发表时间:--
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