Kompensation von On-Chip Parameterschwankungen durch lokale Spannungsanpassung aufgrund von in-situ Verzögerungsmessungen in integrierten CMOS Schaltungen

基于集成 CMOS 电路中的原位延迟测量，通过本地电压调整来补偿片上参数波动

• 批准号: 72373842
• 负责人: Professorin Dr. Doris Schmitt-Landsiedel
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Schaltungsentwurf
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2007-12-31 至 2012-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/72373842?language=en
• 关键词: Kompensation; von; Chip; Parameterschwankungen; durch

Im Rahmen der fortschreitenden Miniaturisierung der digitalen CMOS Technologie gelangen die einzelnen Prozessschritte bei der Herstellung immer weiter an ihre Grenzen. Dadurch ergeben sich immer größere Schwankungen in den elektrischen Charakteristiken der einzelnen Bauelemente – nicht nur zwischen verschiedenen Exemplaren aus einer Fertigung, sondern auch zwischen den verschiedenen Transistoren auf einer einzigen Integrierten Schaltung. In dem Forschungsvorhaben soll untersucht werden, inwieweit diese Schwankungen durch eine lokale Anpassung der an die einzelnen CMOS Gatter angelegten Versorgungsspannungen kompensiert werden können. Dazu soll eine neuartige, an unserem Lehrstuhl entwickelte in-situ Messung der lokalen Schaltgeschwindigkeit auf dem Chip benutzt werden und ein Algorithmus zur Bestimmung der optimalen Verteilung der Versorgungsspannungen entwickelt werden. Des Weiteren soll mittels Simulationsrechnungen und vereinfachten Modellen analysiert werden, in welchem Ausmaß sich Verbesserungen hinsichtlich Schaltgeschwindigkeit, Leistungsverbrauch und Ausbeute in zukünftigen Technologiegenerationen durch diese lokale Adaption der Versorgungsspannung ergeben können. Zusätzlich soll auch die Verbesserung der Langzeitstabilität und das Verhalten bei zukünftigen Bauelementtypen analysiert werden.

我是 Rahmen 的数字 CMOS 技术的微型化研究人员，该技术是在 Grenzen 的 Herstellung 中进行的。 Transistoren auf einer einzigen Integrierten Schaltung。 CMOS Gatter 驱动程序将被彻底清除。 Versorgungsspannungen entwickelt werden。改编 der Versorgungsspannung ergeben können。