変動磁場による誘発遺伝子突然変異の細胞周期依存性とスペクトル解析

不同磁场诱导的基因突变的细胞周期依赖性和光谱分析

基本信息

批准号：
08255229
负责人：
宮越順二
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

ヒト由来培養樹立細胞(MeWo)ならびにチャイニーズハムスター由来CHO‐K1細胞を用いた。突然変異誘発を検索する遺伝子座として、hypoxanthine‐guanine phosphoribosyl transferase(HPRT)遺伝子を選んだ。15cmド-ナツシャーレの外側リングで培養した細胞に400mTの変動磁場(ELF)を1時間から20時間まで曝露した場合、2時間で約4.5倍、10時間で約6倍に突然変異誘発頻度は増加した。ELF曝露をさらに20時間まで行ったが、突然変異誘発頻度のさらなる増加は見られず、ELF10時間曝露とほぼ同じレベルであった。一方、15cmド-ナツシャーレの内側から外側にかけて培養した細胞に400mTで2時間曝露した場合、突然変異誘発頻度は誘導電流密度にほぼ依存して増加した。次にMeWo細胞をアフィディコリン(5μg/ml)処理によりG1期とS期の境界に同調し、ELF曝露(400mT、2h)、Sham曝露、およびX線照射(3Gy)を行なった。X線照射による突然変異はG1期/S期の境界で高く、Sの中期から終期にかけて低くなっている。これに反してELFの場合、S初期で低く、Sの中期で高くなっている。一方、CHO‐K1細胞を用いてELF(400mT、5h)曝露後、6TG^rのクローンについてHPRTcDNAのシークエンスを行ないどのような突然変異が誘発されているか検討した。ELFでは11クローン中、塩基置換7、欠失1、スプライシングエラー3であった。自然突然変異は8クローン中、塩基置換5、スプライシングエラー3であった。まだ例数が少ないので何ともいえないが、ELFと自然突然変異でスペクトラムに大きな違いはなさそうである。従来、ELF曝露では突然変異の誘発が起こらないとされてきた。本研究で用いたELF(50Hz、400mT)は我々の生活環境におけるELFの磁束密度に比べて数万倍という非常に高いものであるが、ELFにより突然変異誘発頻度が増加することを初めて示した報告である。

使用了人类培养的已建立的细胞（MEWO）和中国仓鼠衍生的CHO-K1细胞。选择低黄嘌呤 - 瓜氨酸磷酸氨基转移酶（HPRT）基因作为寻找诱变的基因座。当在15厘米Do-natu培养皿的外环中培养的细胞暴露于1至20小时的400 mt可变磁场（ELF）时，诱变频率增加了约4.5倍，持续2小时，约6倍，持续10小时。再进行ELF暴露20小时，但没有发现诱变频率进一步增加，并且水平与ELF 10小时暴露的水平大致相同。另一方面，当从15厘米的Do-natsu培养皿中培养的细胞在400吨时暴露2小时时，诱变频率几乎增加了诱导的电流密度。然后，将MEWO细胞用阿替迪醇（5μg/ml）处理，以与G1和S相之间的边界同步，并经过ELF暴露（400吨，2小时），假暴露和X射线照射（3 Gy）。 X射线照射引起的突变在G1/s相之间的边界和低点之间的边界较高。相反，在ELF的情况下，在ELF的情况下，在S的早期和中间S较低。另一方面，在使用ELF（400 MT，5 H）暴露于CHO-K1细胞后，HPRT CDNA对6tg^r Clones进行了序列。在小精灵中，在11个克隆中发现了基础替代7，缺失1和剪接误差3。自发突变是基本取代5，剪接误差为8个克隆。很难肯定地说，因为仍然很少情况，但是看来精灵和自发突变之间的频谱没有显着差异。传统上，有人说精灵的暴露不会引起突变。这项研究中使用的ELF（50Hz，400MT）非常高，比我们的生活环境中的ELF的磁通量高了数万倍，但这是ELF增加诱变频率的第一份报告。