Study on high-voltage and high-power nitrided-based transistor amplifiers operated at quasi-millimeter wave frequencies

准毫米波频率高压大功率氮化晶体管放大器的研究

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Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
采用喷雾 CVD 法沉积 Al2O3 栅介质的凹栅 GaN 基 MIS-HEMT
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Ishiguro;S. Urano;R. S. Low;M. Faris;I. Nagase;A. Baratov;J. T. Asubar;T. Motoyama;Y. Nakamura;Z. Yatabe;M. Kuzuhara
  • 通讯作者：
    M. Kuzuhara
GaN HEMT technology for low-loss and high-voltage applications
适用于低损耗和高电压应用的 GaN HEMT 技术
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Ishiguro;S. Urano;R. S. Low;M. Faris;I. Nagase;A. Baratov;J. T. Asubar;T. Motoyama;Y. Nakamura;Z. Yatabe;M. Kuzuhara;Masaaki Kuzuhara
  • 通讯作者：
    Masaaki Kuzuhara
Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
GaN MIS-HEMT 的雾化学气相沉积-Al2O3/AlGaN 界面表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Motoyama;Z. Yatabe;Y. Nakamura;A. Baratov;R. S. Low;S. Urano;J. T. Asubar;M. Kuzuhara
  • 通讯作者：
    M. Kuzuhara
Impact of regrown AlGaN layer on the properties of Al2O3/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structures
再生长AlGaN层对Al2O3/AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体结构性能的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    J. T. Asubar;S. Kawabata;L. R. Shan;H. Tokuda;A. Yamamoto;and M. Kuzuhara
  • 通讯作者：
    and M. Kuzuhara
Improved interfaces of high-k ZrO2 and AlGaN via ex-situ MOVPE regrowth
通过异位 MOVPE 再生长改善高 k ZrO2 和 AlGaN 的界面
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Itsuki Nagase;Joel T. Asubar; Rui Shan Low;Shun Urano;Shunsuke Kamiya;Ali Baratov;Hirokuni Tokuda;Akio Yamamoto;Masaaki Kuzuhara
  • 通讯作者：
    Masaaki Kuzuhara
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