Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process

通过结构和工艺实现高度稳定的常关型 GaN 晶体管

基本信息

  • 批准号:
    19K04528
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(39)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
采用喷雾 CVD 法沉积 Al2O3 栅介质的凹栅 GaN 基 MIS-HEMT
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Ishiguro;S. Urano;R. S. Low;M. Faris;I. Nagase;A. Baratov;J. T. Asubar;T. Motoyama;Y. Nakamura;Z. Yatabe;M. Kuzuhara
  • 通讯作者:
    M. Kuzuhara
Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
GaN MIS-HEMT 的雾化学气相沉积-Al2O3/AlGaN 界面表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Motoyama;Z. Yatabe;Y. Nakamura;A. Baratov;R. S. Low;S. Urano;J. T. Asubar;M. Kuzuhara
  • 通讯作者:
    M. Kuzuhara
Recent progress in Normally-off GaN-based transistors
常关型 GaN 晶体管的最新进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Joel T. Asubar;Shinsaku Kawabata;Hirokuni Tokuda;Akio Yamamoto;and Masaaki Kuzuhara
  • 通讯作者:
    and Masaaki Kuzuhara
5. Electrical properties of GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques
5. ALD 和雾气 CVD 技术沉积 Al2O3 栅极绝缘体的 GaN 基 MIS-HEMT 的电学特性
  • DOI:
    10.1109/imfedk53601.2021.9637639
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S Urano;RS Low;M Faris;M Ishiguro;I Nagase;A Baratov;JT Asubar;T Motoyama;Y Nakamura;Z Yatabe;M Kuzuhara
  • 通讯作者:
    M Kuzuhara
1. Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions
1. 使用有理函数改进 AlGaN/GaN MOS-HEMT 小信号电路
  • DOI:
    10.1109/ted.2021.3119528
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Aakash Jadhav;Takashi Ozawa;Ali Baratov;Joel T Asubar;Masaaki Kuzuhara;Akio Wakejima;Shunpei Yamashita; Manato Deki;Shugo Nitta;Yoshio Honda;Hiroshi Amano;Sourajeet Roy;Biplab Sarkar
  • 通讯作者:
    Biplab Sarkar
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    2015
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    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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