Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process
通过结构和工艺实现高度稳定的常关型 GaN 晶体管
基本信息
- 批准号:19K04528
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(39)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
采用喷雾 CVD 法沉积 Al2O3 栅介质的凹栅 GaN 基 MIS-HEMT
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Ishiguro;S. Urano;R. S. Low;M. Faris;I. Nagase;A. Baratov;J. T. Asubar;T. Motoyama;Y. Nakamura;Z. Yatabe;M. Kuzuhara
- 通讯作者:M. Kuzuhara
Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
GaN MIS-HEMT 的雾化学气相沉积-Al2O3/AlGaN 界面表征
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Motoyama;Z. Yatabe;Y. Nakamura;A. Baratov;R. S. Low;S. Urano;J. T. Asubar;M. Kuzuhara
- 通讯作者:M. Kuzuhara
Recent progress in Normally-off GaN-based transistors
常关型 GaN 晶体管的最新进展
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Joel T. Asubar;Shinsaku Kawabata;Hirokuni Tokuda;Akio Yamamoto;and Masaaki Kuzuhara
- 通讯作者:and Masaaki Kuzuhara
5. Electrical properties of GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques
5. ALD 和雾气 CVD 技术沉积 Al2O3 栅极绝缘体的 GaN 基 MIS-HEMT 的电学特性
- DOI:10.1109/imfedk53601.2021.9637639
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S Urano;RS Low;M Faris;M Ishiguro;I Nagase;A Baratov;JT Asubar;T Motoyama;Y Nakamura;Z Yatabe;M Kuzuhara
- 通讯作者:M Kuzuhara
1. Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions
1. 使用有理函数改进 AlGaN/GaN MOS-HEMT 小信号电路
- DOI:10.1109/ted.2021.3119528
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Aakash Jadhav;Takashi Ozawa;Ali Baratov;Joel T Asubar;Masaaki Kuzuhara;Akio Wakejima;Shunpei Yamashita; Manato Deki;Shugo Nitta;Yoshio Honda;Hiroshi Amano;Sourajeet Roy;Biplab Sarkar
- 通讯作者:Biplab Sarkar
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Improving the reliability of GaN HEMTs using MMC structures and free-standing GaN substrates
使用 MMC 结构和独立式 GaN 衬底提高 GaN HEMT 的可靠性
- 批准号:
15K06013 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Energy Saving Normally-off p-Channel Diamond FET with High-Current Operation
具有高电流运行功能的节能常关 p 沟道金刚石 FET
- 批准号:
25420349 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
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